Zobrazeno 1 - 10
of 216
pro vyhledávání: '"GaInAsP-InP"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ra'ed M. Hassan
Publikováno v:
مجلة علوم ذي قار, Vol 4, Iss 4 (2019)
Detailed theoretical study of the effects of surface density of quantum dots on the dynamics of quantum dot lasers (QDLs) is given. Temperature dependence of the threshold current density, confined level occupancy, internal loss coefficient, optical
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/942646631aca40ada899ffd8d0b4f3ea
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IET Optoelectronics. 12:118-121
A single mode laser based on coupled cavities of an active ring laser and a Fabry Perot is presented. The laser exhibits tunable single mode behaviour with a side mode suppression ratio of 41 dB and a line-width of 400 kHz.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4077ba0fef61c9d626f2f66d99f9c181
https://doi.org/10.1049/iet-opt.2017.0062
https://doi.org/10.1049/iet-opt.2017.0062
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shigehisa Arai, Takeo Maruyama
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 15:731-742
金沢大学理工研究域電子情報学系
Present status of GaInAsP/InP long-wavelength quantum wire lasers, fabricated by a method using electron beam exposure, dry etching, and two-step organometallic vapor-phase epitaxy, is described from
Present status of GaInAsP/InP long-wavelength quantum wire lasers, fabricated by a method using electron beam exposure, dry etching, and two-step organometallic vapor-phase epitaxy, is described from
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::621a367e347b609161dbb00b504e7b32
https://doi.org/10.1109/jstqe.2008.2010872
https://doi.org/10.1109/jstqe.2008.2010872
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 81:2511-2516
p-i-n photodiodes with integrated optical waveguides were successfully fabricated in the GaInAsP/InP material system. This integration leads to optoelectronical integrated circuits of significantly increased functionality, and it also offers the poss
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4869491f2c22d2061c5dde6211ca8fe2
https://doi.org/10.1063/1.363959
https://doi.org/10.1063/1.363959
Publikováno v:
Japanese journal of applied physics. 45(8A):6116-6120
An ultralow group velocity of light in a III–V semiconductor photonic crystal (PC) waveguide is expected to enhance the optical gain per unit length of the waveguide. We discuss the possibility of a compact semiconductor optical amplifier that util
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7f05032d7f5a8dcc9f730185f60f2cb5
http://hdl.handle.net/10131/7963
http://hdl.handle.net/10131/7963