Zobrazeno 1 - 10
of 312
pro vyhledávání: '"GaAsBi"'
Autor:
Amani Rached
Publikováno v:
Arab Journal of Basic and Applied Sciences, Vol 31, Iss 1, Pp 429-439 (2024)
One of the pivotal characteristics of quantum wells (QW) designed for applications in filters or modulators is its absorption coefficient. This study investigates the combined influence of doping and active layer thickness on the absorption coefficie
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f3621d2be9b3403f936cc6ab3f2dea12
Autor:
Verónica Braza, Daniel Fernández, Teresa Ben, Sara Flores, Nicholas James Bailey, Matthew Carr, Robert Richards, David Gonzalez
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 4, p 375 (2024)
This paper investigates the effect of GaAsBi strain reduction layers (SRLs) on InAs QDs with different Bi fluxes to achieve nanostructures with improved temperature stability. The SRLs are grown at a lower temperature (370 °C) than the usual capping
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1863f3bd401f4177a46d6294a810391b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electrical and Electronics Engineering, Vol 13, Iss 2, Pp 23-28 (2020)
In this work we proposed a new four junction AlAs/GaAs/GaAs0.94Bi0.0583/GaAs0.91Bi0.0587 based solar cell, where AlAs (Eg=2.17eV) and GaAs0.91Bi0.0587 (Eg=0.7eV) were used as uppermost and bottom layer respectively. All the calculations were done bas
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/68925f5bb51b446e8fd2ec6970bcad12
Autor:
Tadas Paulauskas, Vaidas Pačebutas, Renata Butkutė, Bronislovas Čechavičius, Arnas Naujokaitis, Mindaugas Kamarauskas, Martynas Skapas, Jan Devenson, Mária Čaplovičová, Viliam Vretenár, Xiaoyan Li, Mathieu Kociak, Arūnas Krotkus
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 15, Iss 1, Pp 1-12 (2020)
Abstract The distribution of alloyed atoms in semiconductors often deviates from a random distribution which can have significant effects on the properties of the materials. In this study, scanning transmission electron microscopy techniques are empl
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/58e07f5625c24c46b660ea6220f7192f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.