Zobrazeno 1 - 10 of 1 733 pro vyhledávání: '"GaAsBi"'
1
Akademický článek
Research Progress on the Preparation and Application of GaAsBi Semiconductor Materials.
Autor: MA Yulin1,2,3 my2364254628@outlook.com, GUO Xiang1,2,3 xguo@gzu.edu.cn, DING Zhao1,2,3
Publikováno v: Journal of Synthetic Crystals. Jan2024, Vol. 53 Issue 1, p25-37. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
EFFECTS OF PARABOLIC BARRIER DESIGN FOR MULTIPLE GaAsBi/AlGaAs QUANTUM WELL STRUCTURES.
Autor: Jokubauskaitė, M.1,2, Petrusevičius, G.1,2, Špokas, A.1,2, Čechavičius, B.1, Dudutienė, E.1 evelina.dudutiene@ftmc.lt, Butkutė, R.1,2
Publikováno v: Lithuanian Journal of Physics. 2023, Vol. 63 Issue 4, p264-272. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Enhanced terahertz ISBT in GaAsBi/AlGaAs quantum well: impact of doping modulation
Autor: Amani Rached
Publikováno v: Arab Journal of Basic and Applied Sciences, Vol 31, Iss 1, Pp 429-439 (2024)
One of the pivotal characteristics of quantum wells (QW) designed for applications in filters or modulators is its absorption coefficient. This study investigates the combined influence of doping and active layer thickness on the absorption coefficie
Externí odkaz: https://doaj.org/article/f3621d2be9b3403f936cc6ab3f2dea12
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Negative thermal quenching in optically pumped GaAsBi–GaAs heterojunction p–i–n diode.
Autor: Sreerag, S. J.1 (AUTHOR), Sharma, Akant Sagar1 (AUTHOR) akant.781@iisertvm.ac.in, Rockett, T. B. O.2 (AUTHOR), David, J. P. R.2 (AUTHOR), Richards, R. D.2 (AUTHOR), Kini, R. N.1 (AUTHOR) rajeevkini@iisertvm.ac.in
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Aug2023, Vol. 129 Issue 8, p1-7. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
INFLUENCE OF AN ULTRA-THIN BUFFER LAYER ON THE GROWTH AND PROPERTIES OF PSEUDOMORPHIC GaAsBi LAYERS.
Autor: Pūkienė, S.1, Jasinskas, A.1, Zelioli, A.1, Stanionytė, S.1,2, Bukauskas, V.3, Čechavičius, B.1, Dudutienė, E.1, Butkutė, R.1,4 renata.butkute@ftmc.lt
Publikováno v: Lithuanian Journal of Physics. 2022, Vol. 62 Issue 2, p93-100. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Lattice dynamics and carrier recombination in GaAs/GaAsBi nanowires.
Autor: Jansson, M.1 (AUTHOR), Nosenko, V. V.1 (AUTHOR) valentyna.nosenko@liu.se, Rudko, G. Yu1 (AUTHOR), Ishikawa, F.2 (AUTHOR), Chen, W. M.1 (AUTHOR), Buyanova, I. A.1 (AUTHOR) irina.bouianova@liu.se
Publikováno v: Scientific Reports. 8/9/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-10. 10p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje