Zobrazeno 1 - 10
of 281
pro vyhledávání: '"GaAs quantum dots"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xing Wei, Samuel Kesse
Publikováno v:
Crystals, Vol 11, Iss 11, p 1376 (2021)
Lithium niobate thin film represents as an ideal material substrate for quantum photonics due to its strong electro-optic effect and high-speed modulation capability. Here, we propose a novel platform which heterogeneously integrates single self-asse
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/135a5e375e3949548984bbe54987895e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Samuel Kesse, Xing Wei
Publikováno v:
Crystals, Vol 11, Iss 1376, p 1376 (2021)
Crystals; Volume 11; Issue 11; Pages: 1376
Crystals; Volume 11; Issue 11; Pages: 1376
Lithium niobate thin film represents as an ideal material substrate for quantum photonics due to its strong electro-optic effect and high-speed modulation capability. Here, we propose a novel platform which heterogeneously integrates single self-asse
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 1, Iss 2, Pp 172-176 (2006)
AbstractWe report on the experimental observation of bright photoluminescence emission at room temperature from single unstrained GaAs quantum dots (QDs). The linewidth of a single-QD ground-state emission (≈ 8.5 meV) is comparable to the ensemble
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a510c81e00134913bb7d2ba1114ef56d
Autor:
Adenilson José Chiquito, Yuri Alexander Pusep, Sérgio Mergulhão, Yara Galvão Gobato, José Cláudio Galzerani, Nicolai Moshegov
Publikováno v:
Materials Research, Vol 7, Iss 3, Pp 459-465 (2004)
A systematic investigation of the properties of the InAs/GaAs self-assembled quantum dots (SAQDs) system subjected to a post-growth annealing using capacitance-voltage, Raman scattering and photoluminescence measurements is presented. The application
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1ddbc47a772e41a99066b65b53ded8c0
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 9, Iss 1, Pp 1-8 (2019)
Scientific Reports
Scientific reports (Nature Publishing Group) 9 (2019). doi:10.1038/s41598-019-51161-5
info:cnr-pdr/source/autori:Tuktamyshev A.; Fedorov A.; Bietti S.; Tsukamoto S.; Sanguinetti S./titolo:Temperature Activated Dimensionality Crossover in the Nucleation of Quantum Dots by Droplet Epitaxy on GaAs(111)A Vicinal Substrates/doi:10.1038%2Fs41598-019-51161-5/rivista:Scientific reports (Nature Publishing Group)/anno:2019/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:9
Scientific Reports
Scientific reports (Nature Publishing Group) 9 (2019). doi:10.1038/s41598-019-51161-5
info:cnr-pdr/source/autori:Tuktamyshev A.; Fedorov A.; Bietti S.; Tsukamoto S.; Sanguinetti S./titolo:Temperature Activated Dimensionality Crossover in the Nucleation of Quantum Dots by Droplet Epitaxy on GaAs(111)A Vicinal Substrates/doi:10.1038%2Fs41598-019-51161-5/rivista:Scientific reports (Nature Publishing Group)/anno:2019/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:9
A temperature activated crossover between two nucleation regimes is observed in the behavior of Ga droplet nucleation on vicinal GaAs(111)A substrates with a miscut of 2° towards $$(\bar{1}\bar{1}2)$$ ( 1 ¯ 1 ¯ 2 ) . At low temperature (