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pro vyhledávání: '"GROSSET, Grégory"'
Autor:
Cussac, Philippe, duchesne, cyrille, Fonder, Jean-Baptiste, Tournier, Dominique, Brosselard, Pierre, GROSSET, Grégory, DUPUY, Lionel
Publikováno v:
Actes
Symposium de Génie Electrique (SGE'16)
Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
Symposium de Génie Electrique (SGE'16)
Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
National audience; Les domaines de la mobilité et de la distribution d'énergie électrique nécessitent des convertisseurs statiques de plus en plus fortes puissances avec de meilleurs rendements et la capacité de fonctionner à plus hautes tempé
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3105681e3d8f814ca2edf70783a4688a
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361598/file/FilSiC_De_l_epitaxie_au_module_de_puissance_SGE_2016_final.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361598/file/FilSiC_De_l_epitaxie_au_module_de_puissance_SGE_2016_final.pdf
Autor:
WEI, Lumei, Locatelli, Marie-Laure, Vergne, Bertrand, Bidan, Pierre, DINCULESCU, Sorin, Diaham, Sombel, GROSSET, Grégory, Dupuy, Lionel, Tournier, Dominique
Publikováno v:
Actes
Symposium de Génie Electrique (SGE'16)
Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
Symposium de Génie Electrique (SGE'16)
Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
National audience; Une étude de diodes bipolaires en SiC-4H protégées par poche est présentée, afin d'analyser le rôle de l'environnement isolant sur les mécanismes de claquage. Pour les diodes épaisses protégées par poche fortement dopée,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::681419a701a4b15c990b07e585a24369
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361631/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361631/document
Autor:
WEI, Lumei, Locatelli, Marie-Laure, Diaham, Sombel, PHAM, Cong-Duc, GROSSET, Grégory, DUPUY, Lionel
Publikováno v:
Symposium de Génie Électrique 2014
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Les caractéristiques électriques de couches de SiO2 déposées par PECVD-TEOS, destinées à la passivation primaire de composants de puissance en carbure de silicium (SiC) sont étudiées. Bien que ce type de films soit déjà très utilisé, leur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a6f607b4bfa4fe7a2dcea4617f4c0364
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065179/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065179/document
Autor:
Chevalier, Florian, Brosselard, Pierre, Planson, Dominique, Bevilacqua, Pascal, Grosset, Grégory, Dupuy, Lionel
Based upon the characterization of two types of 4H-SiC JBS diodes compared to SiC Shottky diode, this paper prensents the influence of the p + activation and well-contacting on the electrical characteristics in forward and reverse mode. The papers wi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b909c86a420889604ada55e102372297
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01113182/file/2013-MicroRel.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01113182/file/2013-MicroRel.pdf
Autor:
Chevalier, Florian, Brosselard, Pierre, Planson, Dominique, Bevilacqua, Pascal, Grosset, Grégory, Dupuy, Lionel
The paper presents the design and the characterization of Schottky and JBS diodes, for high voltage matching. Design for manufacturing has been preferred and diodes have been fabricated following a semi-industrial methodology. Then electrical charact
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4467480a5555e344769efd0332a2289e
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01113181/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01113181/document
Autor:
Nipoti, Roberta, Canino, Mariaconcetta, Zielinski, Marcin, Torregrosa, Frank, Camera, Alberto
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science & Technology; 2019, Vol. 8 Issue 9, pP480-P487, 8p
