Zobrazeno 1 - 10
of 380
pro vyhledávání: '"GOI"'
Autor:
Sri Aju - Indrowaty, Eti Setiawati, Wiranto Aji Dewandono, Nurul Faizah, Sofyan Sukrian Sachputra, Sony Difa Febrianda
Publikováno v:
EDUCATIO: Journal of Education, Vol 9, Iss 2 (2024)
After the COVID-19 pandemic for approximately 2 years, a lot of learning that is usually face-to-face is finally done online or in hybrid ways. Certain learning phases, like writing hiragana, katakana, and kanji in a face-to-face classroom, are not t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/45ce051ee4454d67b5e2c2ee6f027e77
Publikováno v:
Тваринництво та технології харчових продуктів, Vol 14, Iss 3, Pp 61-72 (2023)
The relevance of the work on the study of morphological indicators of koi lies in the increased attention at international koi exhibitions to such external indicators as colour, shape, and body proportions of fish that occupy high prize places and re
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0c1eb8c90d454644a412db0f854be1e3
Autor:
Licha, Kigensan, author
Publikováno v:
Transforming the Void: Embryological Discourse and Reproductive Imagery
in East Asian Religions. 16:479-521
Autor:
Faure, Bernard, author
Publikováno v:
Transforming the Void: Embryological Discourse and Reproductive Imagery
in East Asian Religions. 16:311-343
Autor:
Dolce, Lucia, author
Publikováno v:
Transforming the Void: Embryological Discourse and Reproductive Imagery
in East Asian Religions. 16:253-310
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cheol-Min Lim, Ziqiang Zhao, Kei Sumita, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 612-617 (2021)
We have systematically examined electrical characteristics of ultra-thin body (UTB) (111) Ge-on-insulator (GOI) n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (nMOSFETs) fabricated by the smart-cut process and have compared their electr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e51415e908564dd799aec2f6595ccb0f