Zobrazeno 1 - 10
of 4 086
pro vyhledávání: '"GALVANOMAGNETIC EFFECTS"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Muntyanu, F. muntean_teodor@yahoo.com, Gheorghitsa, E.1, Gilewski, A.2, Chistol, V.3, Bejan, V.1, Munteanu, V.4
Publikováno v:
Semiconductors. Apr2017, Vol. 51 Issue 4, p413-416. 4p.
Publikováno v:
Вестник Северо-Кавказского федерального университета, Vol 0, Iss 6, Pp 38-44 (2022)
Experiments show that Ettingshausen effect that is revealed in longitudinal autosoliton in transverse magnetic field that causes movement in the autosoliton can be suppressed with diamagnetism, which appears in the longitudinal magnetic field. Curren
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d46bffed9ccd415f8d74810218005fbb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Within the linear response of polycrystalline magnetic films to electric currents, a general analysis predicts three new galvanomagnetic effects originated from the two-dimensional nature of the films. These new galvanomagnetic effects, which differ
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1510.01217
Autor:
Haidar, S. M.1 haidar@imr.tohoku.ac.jp, Iguchi, R.1, Yagmur, A.1, Lustikova, J.1, Shiomi, Y.1,2, Saitoh, E.1,2,3,4,5
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 2015, Vol. 117 Issue 18, p183906-1-183906-6. 6p. 1 Diagram, 6 Graphs.
Autor:
Zhou, X., Ma, L., Shi, Z., Fan, W. J., Evans, R. F. L., Chantrell, R. W., Mangin, S., Zhang, H. W., Zhou, S. M.
In this work, IrMn$_{3}$/insulating-Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$ exchange-biased bilayers are studied. The behavior of the net magnetic moment $\Delta m_{AFM}$ in the antiferromagnet is directly probed by anomalous and planar Hall effects, and anisotropic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1403.0148
Autor:
Kar'kin, A. E.1, Shchennikov, V. V.1, Danilov, S. E.1, Arbuzov, V. A.1, Goshchitski&ibreve;, B. N.1 bng@imp.uran.ru
Publikováno v:
Semiconductors. Nov2003, Vol. 37 Issue 11, p1278-1282. 5p.
Publikováno v:
Annals (Constanţa Maritime University). 2011, Vol. 11 Issue 14, p195-198. 4p.
Autor:
Laiho, R.1, Nemov, S. A.2 nemov_s@mail.ru, Lashkul, A. V.3, Lähderanta, E.3, Svechnikova, T. E.4, Dvornik, D. S.2,3
Publikováno v:
Semiconductors. May2007, Vol. 41 Issue 5, p546-549. 4p. 3 Graphs.