Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"G.W. Ray"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 4:148-152
Failure modes for inter-level dielectric layers under accelerated test conditions have been evaluated for a range of dielectric diffusion barriers in copper/low-k structures. The dominant failure mechanism for both constant voltage tests and ramped v
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::904f650f5e3655d801502c2c6b994774
https://doi.org/10.1109/tdmr.2004.831989
https://doi.org/10.1109/tdmr.2004.831989
Autor:
null Changsup Ryu, null Kee-Won Kwon, A.L.S. Loke, null Haebum Lee, T. Nogami, V.M. Dubin, R.A. Kavari, G.W. Ray, S.S. Wong
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 46:1113-1120
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ca9de0e7c11908ae698d6769080c1ef9
https://doi.org/10.1109/16.766872
https://doi.org/10.1109/16.766872
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 6:22-27
Two contact engineering methods developed for submicron contact openings are described. The two methods, SCOPE (simultaneous contact and planarization etch) and PACE (planarization after contact etch), interchange the process sequences of dielectric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7e97554632d3516e7b3a423c239ba2bb
https://doi.org/10.1109/66.210655
https://doi.org/10.1109/66.210655