Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"G.U. Jensen"'
Autor:
M. Nawaz, G.U. Jensen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 43:1788-1798
Design criteria of active phase shifters based on GaAs/AlGaAs multichannel (MC) HFET in the frequency range 4-60 GHz are presented. The phase characteristics of MCHFET devices were studied using the computer aided design program TOUCHSTONE. The depen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f6363be3aa98ffb363846e31fd9c316
https://doi.org/10.1109/16.543009
https://doi.org/10.1109/16.543009
Autor:
Martin Christopher Holland, Weigi Li, Yaochung Chen, J. H. Davies, S. P. Beaumont, I.G. Thayne, A. Paulsen, G.U. Jensen, P.K. Bhattacharya
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 42:2047-2055
In this paper we present a comparative study of the high frequency performance of 80-200 mm gate length Al/sub 0.25/GaAs/GaAs/(GaAs:AlAs) superlattice buffer quantum well (QW) HEMTs, Al/sub 0.3/GaAs/In/sub 0.15/GaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs and In/su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9d01fa1c1aa79747ead90e9582a32414
https://doi.org/10.1109/16.477760
https://doi.org/10.1109/16.477760
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:226-233
The carrier concentration in heterostructure FETs (HFETs) with a p-i-p/sup +/ buffer is presented as a function of the gate bias, obtained by self-consistent one-dimensional calculation of 2-D electron density, subband levels, and electrostatic poten
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64f9323813efcfa8f2a08c140578d363
https://doi.org/10.1109/16.121677
https://doi.org/10.1109/16.121677
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 38:840-851
Self-consistent Monte Carlo simulation was used to study self-aligned, planar-doped AlGaAs-GaAs heterostructure field-effect transistors (HFETs) with gate lengths varying from 0.1 to 1.0 mu m and two different depths of the implanted contacts. The dr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eb0c66f5e80f001cdc1040a319b70435
https://doi.org/10.1109/16.75214
https://doi.org/10.1109/16.75214
Autor:
M. Nawaz, G.U. Jensen
Publikováno v:
Proceedings of 4th International Conference on Solid-State and IC Technology.
An analytical model is desirable because it provides faster response and good physical insight into microwave device operation. We present an analytical charge control model based on GaAs/AlGaAs multiple quantum well HEMTs. Good agreement is demonstr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e7a1e02a72559498a08f828dad095ef
https://doi.org/10.1109/icsict.1995.503334
https://doi.org/10.1109/icsict.1995.503334
Publikováno v:
Technical Digest. MEMS 2001. 14th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (Cat. No.01CH37090).
The principle of the butterfly-gyro was first demonstrated with a large anisotropically etched structure in bulk silicon. Now the same principle has been used to develop a much smaller structure (9.6 mm/sup 2/). The new sensor chip is ICP-etched in b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::39c6887d9dfd0306198ed288438d3b61
https://doi.org/10.1109/memsys.2001.906509
https://doi.org/10.1109/memsys.2001.906509
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.