Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"G.T. Jung"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Seung Jae Baik, Kee-Won Kwon, Y.N. Hwang, H.S. Jeong, Gwan-Hyeob Koh, Kinam Kim, G.T. Jung, S.J. Ahn
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting 2003.
The technological challenges associated with STTM (scalable two transistor memory) cells were reviewed. First of all, the basic operating principles of the memory cell are discussed. This is followed by the introduction of the memory array formation
Examination and improvement of reading disturb characteristics of a surrounded gate STTM memory cell
Publikováno v:
2003 Third IEEE Conference on Nanotechnology, 2003. IEEE-NANO 2003..
This paper introduces a novel surrounded gate STTM cell technology to improve retention and read disturb characteristics. In the memory cells previously reported, the device structures limits the CMOS-compatible memory integration and the operation v
Autor:
S.J. Ahn, June-Woo Lee, G.T. Jung, Kinam Kim, Dong-won Shin, H.S. Jeong, Young-Nam Hwang, C.H. Cho
Publikováno v:
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320).
We investigated the influence of the SOG deposition with two kinds of curing process on the hot carrier reliability of buried channel (BC) PMOSFET. It was found that the vacuum bake induced the effective negative charges in the trench sidewall oxide
Publikováno v:
2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303).
A novel DRAM cell transistor with an asymmetric source and drain structure is proposed, for the first time, to realize reliable high density DRAM below 0.12 /spl mu/m. The new cell structure could provide the optimized source and drain junction profi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.