Zobrazeno 1 - 10
of 193
pro vyhledávání: '"G.S. Samudra"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 19:161-164
Apart from maximization of parametric yield, minimization of the spread in performance functions due to process variation is of extreme importance in very large scale integrated circuit design. To achieve efficient minimization of the spread, a novel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1de5c17908f91192065e7841e5e455d7
https://doi.org/10.1109/43.822628
https://doi.org/10.1109/43.822628
Autor:
V.K. Arora, G.S. Samudra
Publikováno v:
IEEE Transactions on Education. 36:148-152
An approach for preparing engineering students in Singapore by integrating computer aided engineering (CAE) skills in laboratory environments is described. This integrative training is supported by use of simulation packages extensively used by indus
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd006e99a989a26fbf99d6b3c2a3fbcc
https://doi.org/10.1109/13.204835
https://doi.org/10.1109/13.204835
Publikováno v:
ICCD
Process variations invariably give rise to a parametric yield below 100% for VLSI circuits. Improving the yield by choosing a set of optimum parameter values does not incur any extra cost, and it is a preferred method as it directly translates into p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cfab4f7f88137484b7ccd63a1632a8cd
https://doi.org/10.1109/iccd.1999.808550
https://doi.org/10.1109/iccd.1999.808550
Publikováno v:
ICSE'98. 1998 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics. Proceedings (Cat. No.98EX187).
Charge pumping is a widely used method of evaluating the Si-SiO/sub 2/ interfaces in MOSFETs. The modelling of this technique in a p-MOSFET using two-dimensional device simulator is presented. A two-dimensional transient model which accounts for the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::54bcf9886ea9c208e050b32fa5b3194f
https://doi.org/10.1109/smelec.1998.781145
https://doi.org/10.1109/smelec.1998.781145
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.