Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"G.S. Lum"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 504:32-35
In this work, we have investigated the capacitance–voltage (C–V) and conductance–voltage (G–V) characteristics of silicon nanocrystals (nc-Si) distributed in the gate oxide very near the SiO2/Si interface of a Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)
Publikováno v:
Oncology. 24:I-VII
Autor:
G.S. Lum, A.W. Schreiner
Publikováno v:
Oncology. 21(2)
Publikováno v:
Oncology. 24:471-471
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.