Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"G.S. Lum"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 504:32-35
In this work, we have investigated the capacitance–voltage (C–V) and conductance–voltage (G–V) characteristics of silicon nanocrystals (nc-Si) distributed in the gate oxide very near the SiO2/Si interface of a Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)
Autor:
Haghbin, Hossein1 (AUTHOR) hossein.haghbin@ascension.org, Zakirkhodjaev, Nuruddinkhodja2 (AUTHOR) nurzakir00@gmail.com, Fatima, Rawish3 (AUTHOR) rawish.f@gmail.com, Kamal, Faisal4 (AUTHOR) fkamal36@gmail.com, Aziz, Muhammad5 (AUTHOR) marajani@hotmail.com
Publikováno v:
Journal of Clinical Medicine. Mar2024, Vol. 13 Issue 5, p1298. 12p.
Publikováno v:
Oncology. 24:I-VII
Autor:
G.S. Lum, A.W. Schreiner
Publikováno v:
Oncology. 21(2)
Autor:
Li, Chengtai1 (AUTHOR), Zhang, Yiming1 (AUTHOR), Weng, Ying1 (AUTHOR) ying.weng@nottingham.edu.cn, Wang, Boding2 (AUTHOR), Li, Zhenzhu2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Diagnostics (2075-4418). Jan2023, Vol. 13 Issue 2, p286. 23p.
Publikováno v:
Oncology. 24:471-471
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.