Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"G.S. Haase"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G.S. Haase
Publikováno v:
2008 IEEE International Reliability Physics Symposium.
Low-k dielectrics used in interconnect systems of advanced microelectronics devices tend to degrade faster than gate oxide under electric field. As spacing between metal lines shrink, degradation models like the E-model, which are used to extrapolate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::77103d2c77d4af268302e4a60600e983
https://doi.org/10.1109/relphy.2008.4558945
https://doi.org/10.1109/relphy.2008.4558945
Autor:
G.S. Haase, Joe W. McPherson
Publikováno v:
2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual.
Advanced microelectronics interconnect systems can have metal leads several hundred meters long with minimum metal to metal spacing of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43ff8d585ab399fff45a461e4de3a34f
https://doi.org/10.1109/relphy.2007.369921
https://doi.org/10.1109/relphy.2007.369921
Autor:
M. Kerber, W. Xiong, Joe W. McPherson, G.S. Haase, E.T. Ogawa, T. Pompl, K. Schrufer, T. Schulz, Homi C. Mogul, R. Cleavelin
Publikováno v:
2006 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings.
Future CMOS technology generations may implement multi-gate architectures according to S. M. Kim et al. (2004), D Ha et al. (2004), S.-Y. Kim et al. (2005), W.-S. Liao et al. (2005), S. Maeda et al. (2004), N. Collaert et al. (2005),and C. Jahan et a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::545d69f471cce9d27fe664de8a80214a
https://doi.org/10.1109/relphy.2006.251309
https://doi.org/10.1109/relphy.2006.251309
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2005 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual..
The shrinking of line-to-line spacing in interconnect systems for advanced IC technology and the use of new lower dielectric constant materials create the need for tools to evaluate the interconnect dielectric reliability. A multi-temperature, dual r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f33ee044666c3e5538af8e1f6f307ae1
https://doi.org/10.1109/relphy.2005.1493130
https://doi.org/10.1109/relphy.2005.1493130
Publikováno v:
2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual..
The reliability physics of low-k interconnect dielectrics is of great interest. Leakage, breakdown and TDDB data are presented for fluorinated silica, porous carbon-doped silica, and very porous carbon-doped silica. The breakdown and TDDB performance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f86f13c358a93c0edb62fd340834c036
https://doi.org/10.1109/relphy.2003.1197739
https://doi.org/10.1109/relphy.2003.1197739
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.