Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"G.R. Weber"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Lightwave Technology. 10:46-50
The performance of adiabatic 3-dB couplers and V-branches is reported. These devices are broadband and divide power equally. They have no observable polarization dependence. Typical excess losses relative to a straight waveguide is 0.1-0.2 dB for the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1d88341439d845550ddc836ff5f02af8
https://doi.org/10.1109/50.108735
https://doi.org/10.1109/50.108735
Autor:
J.M. Hergenrother, D. Monroe, F.P. Klemens, A. Komblit, G.R. Weber, W.M. Mansfield, M.R. Baker, F.H. Baumann, K.J. Bolan, J.E. Bower, N.A. Ciampa, R.A. Cirelli, J.I. Colonell, D.J. Eaglesham, J. Frackoviak, H.J. Gossmann, M.L. Green, S.J. Hillenius, C.A. King, R.N. Kleiman, W.Y.C. Lai, J.T.-C. Lee, R.C. Liu, H.L. Maynard, M.D. Morris, S.-H. Oh, C.-S. Pai, C.S. Rafferty, J.M. Rosamilia, T.W. Sorsch, H.-H. Vuong
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318).
We have fabricated and demonstrated a new device called the Vertical Replacement-Gate (VRG) MOSFET. This is the first MOSFET ever built that combines (1) a gate length controlled precisely through a deposited film thickness, independently of lithogra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0fad16945a11f8de792d57fca7fba3eb
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823850
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823850
Autor:
K. Krisch, L. Manchanda, Y.O. Kim, R.C. Kistler, R. Storz, Martin L. Green, N. Moriya, D.M. Boulin, W. Mansfields, H. S. Luftman, J.T.-C. Lee, G.R. Weber, Leonard C. Feldman, F. Klemens
Publikováno v:
Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting.
We report the fabrication and device characteristics of a 50 /spl Aring/ thick dual-layer gate dielectric with high interface quality (D/sub it/ and Q/sub f/ /spl sim/10/sup 10/ cm/sup 2/) and capable of retarding boron penetration. This dual-layer d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fcc591e3eb2ae401a0d7814372ce5577
https://doi.org/10.1109/iedm.1993.347311
https://doi.org/10.1109/iedm.1993.347311
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.