Zobrazeno 1 - 10
of 109
pro vyhledávání: '"G.P. Schwartz"'
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 6:159-169
Strain due to lattice mismatch at semiconductor interfaces plays an important role in determining both the thin film growth mechanisms and electronic structure and physical properties of materials. The SiGe system with its 4% lattice mismatch offe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::84ae76de68a623b708514c2dec8ecae5
https://doi.org/10.1016/0921-5107(90)90092-p
https://doi.org/10.1016/0921-5107(90)90092-p
Autor:
Young-Kai Chen, T.-Y. Chiu, G.M. Chin, R.W. Johnson, Raymond A. Cirelli, G.P. Schwartz, C. A. King, A. Kornblit, Michel Ranjit Frei
Publikováno v:
Proceedings of International Electron Devices Meeting.
We report a new Si/SiGe HBT device structure using selective and non-selective rapid thermal epitaxy. The structure has the potential to simultaneously provide for high level integration and a high Ge fraction strained alloy base which allows high ba
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8d6cd11832654fa24deb28cd3ed2e56
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499327
https://doi.org/10.1109/iedm.1995.499327
Autor:
A. Kornblit, J. T. C. Lee, M. Cheng, D. Monroe, Sheila Vaidya, Raymond A. Cirelli, S.V. Moccio, K.J. O'Connor, S. Saito, G.P. Schwartz, G. R. Weber, H. Ito, D.E. Ibbotson, Conor S. Rafferty, Martin L. Green, M.R. Pinto, Dale C. Jacobson, Kwok K. Ng, K. Kasama, S.A. Eshraghi, T. Itani, K. V. Guinn, Joze Bevk, T. Horiuchi, Leonard C. Feldman, M. Nakamae, K.S. Krisch, Rodney C. Kistler, Y. O. Kim, William M. Mansfield, E. Ikawa, T. Tounai, D. Brasen, S.C. McNevin, C. A. King, Steven James Hillenius, H. Miyamoto, Akihiko Ishitani, D.M. Boulin, M.L. O'Malley, E. Hasagawa, F.P. Klemens, L. Manchanda
Publikováno v:
1995 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers.
A 0.25 /spl mu/m coded feature CMOS technology has been developed for high-performance, low-power ASIC applications. Critical process features include 248 nm DUV lithography on all levels, profiled twin tubs by high energy implantation (HEI), dual Ti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df7830f3e286f2a93189abf6ef9c60e4
https://doi.org/10.1109/vlsit.1995.520860
https://doi.org/10.1109/vlsit.1995.520860
Autor:
L. H. Dubois, G.P. Schwartz
Publikováno v:
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 29:175-180
High resolution electron energy loss spectroscopy was used to study surface optical phonons on sputter-annealed samples of GaAs, InP, GaP and CdTe. The measured phonon frequencies are in excellent agreement with theoretical predictions and were found
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::786c9a96495a9452de852b8e7bc17d52
https://doi.org/10.1016/0368-2048(83)80058-9
https://doi.org/10.1016/0368-2048(83)80058-9
Autor:
G.P. Schwartz
Electrochemically formed native oxide films on III-V substrates are subject to two distinct chemical reaction processes upon thermal annealing. For anodic films on GaAs and GaSb, oxide-substrate reactions have been observed which yield interfacial de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::42ef8f7b03cd14498e916eaa371e3da0
https://doi.org/10.1016/b978-0-08-025969-7.50039-7
https://doi.org/10.1016/b978-0-08-025969-7.50039-7
Publikováno v:
Physics Letters A. 50:69-70
The signs of the supertransferred hyperfine fields at the Cd nucleus is paramagnetic RbMnF 3 , and KCoF 3 have been measured. In the anti-ferromagnetic phase of RbMnF 3 the effect of the spin-flop transition on the PAC of 111 Cd m has been observed.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d2e170777ec87ca04fef650d7faf12a1
https://doi.org/10.1016/0375-9601(74)90357-0
https://doi.org/10.1016/0375-9601(74)90357-0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.