Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"G.P. Pickrell"'
Autor:
A. A. Allerman, Vincent M. Abate, T. Smith, Andrew M. Armstrong, G.P. Pickrell, C. E. Glaser, Mary H. Crawford
Publikováno v:
Electronics Letters. 56:207-209
GaN p-n diodes were formed by selective area regrowth on freestanding GaN substrates using a dry etch, followed by post-etch surface treatment to reduce etch-induced defects, and subsequent regrowth into wells. Etched-and-regrown diodes with a 150 μ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d738e4e6cb143575193662282f0e4994
https://doi.org/10.1049/el.2019.3587
https://doi.org/10.1049/el.2019.3587
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.