Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"G.P. Imthurn"'
Publikováno v:
IEEE 2011 International SOI Conference.
Though Silicon-on-Sapphire (SOS) has many applications for RF circuits, compressive strain in the hetero-epitaxially deposited silicon film reduces the electron mobility and diminishes its high-frequency performance. To eliminate this strain, we bond
Autor:
G.P. Imthurn, G. Massey
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 24:703-705
Modes in a tapered rectangular silicon nitride optical waveguide on silicon were viewed using high-magnification photoelectron microscopy. A thin cesium antimonide photocathode film was deposited on the guide, with laser illumination introduced throu
Publikováno v:
Twenty-Third Asilomar Conference on Signals, Systems and Computers, 1989..
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.