Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"G.M. Guadalupi"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 310:2080-2084
The measurement of impurity concentration in compound semiconductors reaches extremely high sensitivity. On the contrary, the methods for off-stoichiometry determination in II–VI crystals are not satisfactory. Some of the authors developed (in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::995595b8c8b375dc7cb834e29bd499fd
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.11.232
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.11.232
Publikováno v:
Applied Radiation and Isotopes. 56:833-836
The crystalline quality of GaAs and InP single crystals grown by the liquid-encapsulated Czochralski technique, was investigated by γ-ray diffraction. In particular, the rocking curve was measured in different areas of each crystal, obtaining the mo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5ccd291f0d2ede271d870d7fae2fa97e
https://doi.org/10.1016/s0969-8043(02)00053-2
https://doi.org/10.1016/s0969-8043(02)00053-2
Autor:
C.A.C. Mendonça, C.E.M. de Oliveira, Maria Izabel M. S. Bueno, M.M.G. de Carvalho, C.R. Miskys, G.M. Guadalupi, M. Battagliarin
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 186:487-493
Undoped InP single crystals were grown by liquid-encapsulated Czochralski method (LEC) using glassy carbon, silica and PBN crucibles. The samples were characterized by Hall and resistivity measurements, photoluminescence at 2 K and glow discharge mas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7dc1f7599a85f859dee985c8232581f5
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(97)00815-4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(97)00815-4
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 28:120-125
A structural characterization of liquid encapsulated Czochralski InP heavily doped with Zn is presented. At a hole density as high as 3.0 × 10 18 cm −3 , corresponding to a Zn content of 1019 atoms cm−3, the crystals are dislocation-free. They c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd70cda6fb8f80e781ed37f7f2c33b76
https://doi.org/10.1016/0921-5107(94)90029-9
https://doi.org/10.1016/0921-5107(94)90029-9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.