Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"G.K.M. Martin"'
Publikováno v:
Surface Science. 525:222-228
Pit nucleation during the growth of In 0.27 Ga 0.73 As/GaAs compressively strained films was investigated under various growth conditions. In this system, pit nucleation occurs after the nucleation of three-dimensional islands, but prior to the forma
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 83:4518-4520
The morphological stability of compressively strained In0.27Ga0.73As/GaAs pseudomorphic layers has been investigated during annealing. Large three-dimensional islands form at the beginning of annealing on initially flat surfaces, likely to relieve st
Publikováno v:
MRS Proceedings. 696
The surface morphology near the onset of 3D roughening of In0.27Ga0.73As/GaAs films was investigated for films both immediately after growth and after annealing. As expected, 3D island nucleation coincides with the onset of strain relaxation at a cri
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.