Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"G.J. Gardopee"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 22:347-350
The AcuThin wafer thinning process for thinning bonded SOI wafers has been described. This process combines a high-speed, high data density film thickness measurement with a highly efficient PACE process to achieve precise control of SOI film thickne
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c5e19a283c19478ec4a0f68c4c87cc1
https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90184-7
https://doi.org/10.1016/0167-9317(93)90184-7
Publikováno v:
IEEE International SOI Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1d046e42c59113c386dd61a94d91a8f1
https://doi.org/10.1109/soi.1992.664836
https://doi.org/10.1109/soi.1992.664836
Publikováno v:
Proceedings of 1993 IEEE International SOI Conference.
Gate-oxide breakdown measurements were made to determine the quality of the Si surface of plasma-thinned Si wafers. Circular MOS capacitors having a thermal oxide of 190 A were fabricated on unprocessed bulk Si wafers and plasma-thinned wafers. The d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf578ea4e0bd861f96dad3dbc083d927
https://doi.org/10.1109/soi.1993.344591
https://doi.org/10.1109/soi.1993.344591
Publikováno v:
Proceedings. IEEE International SOI Conference.
The continuous decrease in the CMOS device dimension towards the deep submicrometer region has necessitated a concomitant decrease in the thickness of the gate oxide to a few hundred angstroms or less. The quality of such very thin oxides are strongl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c88e08abf6ee51e538c0d392f8074de
https://doi.org/10.1109/soi.1994.514254
https://doi.org/10.1109/soi.1994.514254
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.