Zobrazeno 1 - 10
of 81
pro vyhledávání: '"G.H. Shi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Agricultural Science Digest - A Research Journal.
Background: China is a mainland country rich in natural Morchella spp. resources. At present, about half of the natural Morchella spp. in the world has been recorded in China. The current study was aimed at the classification and cultivation of Morch
Autor:
D.L. Cao, H.L. Zhang, X. Tian, F.N. Wan, W-H. Xu, Y.Y. Qu, A. Anwaier, Y.P. Zhu, G.H. Shi, D.W. Ye, H.K. Wang
Publikováno v:
European Urology. 79:S872
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G.H. Shi
Publikováno v:
Geomechanics and Geoengineering. 9:80-96
Continuous computation and limit equilibrium computation are the two independent computations for practical rock engineering. For global stability analysis, limit equilibrium is still the fundamental method. For any numerical method, reaching limit e
Autor:
P.D. Lei, G.H. Shi, S.Y. Zhu, Xiaochun Wan, Chang-Jun Jiang, Zhengzhu Zhang, Z.J. Tang, Jun Sun
Publikováno v:
The Journal of Horticultural Science and Biotechnology. 87:71-76
SummaryAn efficient system for organogenesis from shoot basal ends was established using an elite clone of Camellia sinensis L. O. Kuntze. In this study, factors that affected the efficiency of shoot regeneration, including explant type (i.e., young
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics A. 80:1775-1779
Amorphous aluminate YAlO3 (YAO) thin films on n-type silicon wafers as gate dielectric layers of metal - oxide semiconductor devices are prepared by pulsed laser deposition. As a comparison, amorphous aluminate LaAlO3 (LAO) thin films are also prepar
Publikováno v:
Applied Physics A. 77:481-484
SrZrO3 (SZO) thin films have been prepared on Pt-coated silicon substrates and directly on Si substrates by pulsed laser deposition (PLD) using a ZrSrO target at a substrate temperature of 400 °C in 20 Pa oxygen ambient. X-ray θ–2θ scans showed