Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"G.G. Myasishcheva"'
Autor:
V.I. Grafutin, O.V. Ilyukhina, G.G. Myasishcheva, E.P. Prokopiev, S.P. Timoshenkov, Yu.V. Funtikov
Publikováno v:
Вестник. Серия физическая, Vol 30, Iss 3, Pp 47-54 (2009)
It is shown, that one of effective modern methods of definition of the nanodefect sizes (vacancies, vacansion clasters), free volumes of porous, cavities, emptiness in nanomaterials and porous systems is the method of positron annihilation spectrosco
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/29304bd6c39447e2a87cb2066a5c98a4
Autor:
V.I. Grafutin, O.V. Ilyukhina, Yu.F. Kozlov, I.N. Meshkov, G.G. Myasishcheva, E.P. Prokop'ev, G.I. Savel'ev, S.P. Timoshenkov, Yu.A. Chaplygin, Yu.V. Funtikov, N.O. Khmelevskii, S.L. Yakovenko
Publikováno v:
Evropejskij Issledovatelʹ, Vol 28, Iss 9-1, Pp 1323-1354 (2012)
It has been shown that one of the effective methods for determining the size of nanoobjects (vacancies, vacancies clusters), vacant cavities, empty spaces, concentration of chemical composition in annihilation of porous materials is the method of pos
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doajarticles::46f85ce25239a7f2906883cf6fdcf8e1
http://www.erjournal.ru/pdf.html?n=1349004722.pdf
http://www.erjournal.ru/pdf.html?n=1349004722.pdf
Autor:
S. G. Barsov, S. P. Kruglov, S. M. Mikirtych'yants, G. I. Savel'Ev, Yu. V. Obukhov, V. A. Gordeev, E. V. Minaichev, A. L. Getalov, V. G. Firsov, L. A. Kuzmin, G.G. Myasishcheva, V. I. Kudinov, G. V. Shcherbakov
Publikováno v:
Hyperfine Interactions. 18:635-638
AμSR study has been carried out on high resistivity single crystal gallium arsenide (GaAs). Three characteristic states involving theμ+ muon (Mu*, Mu,μ+ were shown to exist in a binary semiconductor, similar to the case of elemental semiconductors
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9192483c0521dc9692abd86a5f66a502
https://doi.org/10.1007/bf02064883
https://doi.org/10.1007/bf02064883
Autor:
Yu. V. Obukhov, G.G. Myasishcheva, S. M. Mikirtych'yants, V. G. Firsov, G. V. Shcherbakov, L. A. Kuzmin, V. A. Gordeev, R. F. Konopleva, A. L. Getalov, S. G. Barsov, S. P. Kruglov, G. I. Savel'Ev, V. I. Kudinov, E. V. Minaichev
Publikováno v:
Hyperfine Interactions. 8:409-416
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::701fc10b554ad4f4e3f9b68f540f35e4
https://doi.org/10.1007/bf01037505
https://doi.org/10.1007/bf01037505
Autor:
V. A. Gordeev, G. V. Shcherbakov, V. G. Firsov, A. L. Getalov, V. A. Evseev, S. G. Barsov, V. I. Kudinov, Yu. V. Obukhov, S. P. Kruglov, L. A. Kuzmin, R. F. Konopleva, S. M. Mikirtychants, G. I. Savel'Ev, E. V. Minaichev, G.G. Myasishcheva
Publikováno v:
Hyperfine Interactions. 18:551-555
Radiation defects are shown experimentally to affect differently the normal and anomalous muonium states in silicon. This evidences essentially different mobilities of the two muonium states in the sample lattice.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b3921972ca462d771c9e0ac49c44fbeb
https://doi.org/10.1007/bf02064866
https://doi.org/10.1007/bf02064866
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.