Zobrazeno 1 - 10
of 128
pro vyhledávání: '"G.F. Lorusso"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Luminescence. :395-398
Photoluminescence spectra of large size (about 0.5 cm) C60 single crystals grown by vapour-transport technique in a sealed quartz ampoule, have been measured from 10 to 300 K. The main feature of the PL spectra is the splitting effect of the emission
Publikováno v:
Carbon. 35:763-766
We report on photoluminescence (PL) spectra from 10 to 300 K of C60 thin films deposited on Si, GaSe, GaAs and Au substrates. X-ray diffraction patterns evidence a polycrystalline structure of the films. The effect of the different substrates on the
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Rivista di Neuroradiologia. 4:183-186
Il recente diffondersi delle tecniche di RMN in campo sanitario ha sollevato negli ultimi tempi quesiti ed interrogativi sui possibili effetti biologici conseguenti alla esposizione a campi magnetici e radiofrequenze. Sebbene la Food and Drug Adminis
Autor:
Hugo Bender, Craig Huffman, Stephan Brus, S. Lok, Liesbeth Witters, Christa Vrancken, Philippe Absil, Sofie Mertens, P. Ong, Bertrand Parvais, V. Truffert, D. Laidler, Serge Biesemans, Nancy Heylen, Anabela Veloso, Malgorzata Jurczak, Nadine Collaert, S. Vanhaelemeersch, C. Baerts, M. Ercken, A.M. Goethals, Steven Demuynck, S. Verhaegen, J. De Backer, G.F. Lorusso, Michal Rakowski, K. Shah, D. Goossens, C. Delvaux, L. Romijn, A. De Keersgieter, Kurt G. Ronse, E. Altamirano, J. Hermans, Hans Meiling, Rita Rooyackers, P. Boelen, O. Richard, J. Versluijs, Andriy Hikavyy, J.-F. de Marneffe, J. Gelatos, A. Van Dijk, A. Noori, B. Hultermans, R. Arghavani, R. Schreutelkamp, Marc Demand, Anne Lauwers, B. Baudemprez, R. Cartuyvels, T. Y. Hoffmann, C. Pigneret, F. Van Roey
Publikováno v:
2008 IEEE International Electron Devices Meeting.
We report on a major advancement in full-field EUV lithography technology. A single patterning approach for contact level by EUVL (NA=0.25) was used for the fabrication of electrically functional 0.186 mum2 6T-SRAMs, with W-filled contacts. Alignment
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.