Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"G.E. Hofler"'
Autor:
William Gong, R.L. Van Tuyl, L. Billia, R.G. Ritter, Jintian Zhu, George M. Clifford, Marshall Todd Steven, D.P. Bour, G.E. Hofler
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 54:4556-4564
Remote testing of microwave signals to 25 GHz and digital signals to 12.5 Gb/s is demonstrated through fiber-optic cables. Reflection-mode electroabsorption modulators are used as high-impedance transducers to measure voltage and inject current. Tran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::271c8e8988ec7c12a522263ba5df1cdb
https://doi.org/10.1109/tmtt.2006.884668
https://doi.org/10.1109/tmtt.2006.884668
Autor:
G.E. Hofler, Frank M. Steranka, Serge L Rudaz, A. J. Moll, S. A. Stockman, M. J. Ludowise, Jingxi Yu, J. Tarn, Steven A. Maranowski, Tim Osentowski, Lou W. Cook, Virginia M. Robbins, Dennis C Defevere, C. P. Kuo, Changhua Chen, M. G. Craford, M. J. Peanasky, Dan A. Steigerwald, Robert M Fletcher, K. G. Park, I. H. Tan, Frederick A. Kish, Michael D. Camras
Publikováno v:
Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications.
A new class of LEDs based on the AlGaInP material system first became commercially available in the early 1990's. These devices benefit from a direct bandgap from the red to the yellow-green portion of the spectrum. The high efficiencies possible in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16dc2c200b6c7ab3e563974a8dfc5941
https://doi.org/10.1117/12.271032
https://doi.org/10.1117/12.271032
Autor:
T. S. Tan, Nathan F. Gardner, D. Collins, Frederick A. Kish, C. Carter-Coman, G. Sasser, B. Loh, G.E. Hofler, J. Posselt, Michael R. Krames
Publikováno v:
Electronics Letters. 34:1781
Data are presented demonstrating red-orange-yellow spectrum (Al/sub x/Ga/sub 1-x/)/sub 0.5/In/sub 0.5/P/GaP high-power light-emitting diode (LED) lamps which emit 10-20 lm of flux while simultaneously maintaining luminous efficiencies of /spl ges/20
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dfd718cff2e7d6322d6e22760812dd97
https://doi.org/10.1049/el:19981217
https://doi.org/10.1049/el:19981217
Autor:
D. A. Vanderwater, G.E. Hofler, Frederick A. Kish, Frank M. Steranka, Dennis C Defevere, K. G. Park, Daniel A. Steigerwald
Publikováno v:
Electronics Letters. 32:132
Semiconductor wafer bonding is employed to fabricate very high efficiency transparent-substrate (TS) AlGaInP light-emitting diodes (LEDs) with projected lifetimes in excess of 100000 h under accelerated life test at an ambient temperature of 55/spl d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16c7f62bb496755548e4abdfaa4f2f63
https://doi.org/10.1049/el:19960098
https://doi.org/10.1049/el:19960098
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters; Jan2005, Vol. 17 Issue 1, p49-51, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.