Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"G.E. Crook"'
Publikováno v:
Ultramicroscopy. 49:273-285
We present a method which allows the direct measurement of local displacements within a crystal lattice by high-resolution electron microscopy (HREM). The basic idea of this method is the formation of moire structures when two two-dimensional lattice
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5682e86f8745744c60a7ec160697d760
https://doi.org/10.1016/0304-3991(93)90234-o
https://doi.org/10.1016/0304-3991(93)90234-o
Publikováno v:
Applied Surface Science. :650-655
We investigated the growth (molecular beam epitaxy) and the structural properties of ultrathin Si layers embedded in GaAs(100). Surface reconstructions were monitored by high-energy electron diffraction (RHEED) during growth. A (1 × 2) reconstructio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::54ee2581b19965a73bb76998266e932a
https://doi.org/10.1016/0169-4332(92)90316-p
https://doi.org/10.1016/0169-4332(92)90316-p
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 111:184-188
Gallium arsenide layers were grown by molecular beam epitaxy on (100) Si substrates misoriented by 1.7° and 4° toward [011], with a thin Si buffer layer deposited before GaAs growth for some samples. Reflection high energy electron diffraction obse
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::caa8167d0d0312af4b2c0ca2bb7dbeea
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90968-b
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90968-b
Publikováno v:
IEEE Antennas and Propagation Society International Symposium 1997. Digest.
The planar inverted F antenna (PIFA) and the closely-related quarter-wave microstrip antenna are well-known, low-profile antenna designs which offer broad bandwidth and high radiation efficiency. These antennas offer reduced size over traditional mic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1f1e69f0b1922eb2fd337cdbee81328
https://doi.org/10.1109/aps.1997.630192
https://doi.org/10.1109/aps.1997.630192
We examine the stability of pseudomorphic submonolayer Si films embedded in (001) GaAs by molecular-beam epitaxy. Secondary ion-mass spectrometry depth profiling reveals the presence of 10high19 Si- atoms/ccm in the first 40 nm of the GaAs cap layer.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2f18ecd46f3198f51673a65c4eadf7f6
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/180442
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/180442
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 10:841
Silicon layers with thicknesses covering the range from delta‐doping densities to relaxed Si have been embedded in GaAs using molecular‐beam epitaxy. The Si thickness for which the onset of relaxation of the Si layer occurred was found to be abou
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64c0bfad12f8b6a06c7681aa58b6bc3d
https://doi.org/10.1116/1.586131
https://doi.org/10.1116/1.586131
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.