Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"G.C Xing"'
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 875:160040
Metallic glasses (MGs) are often perceived as quintessential structural materials. However, the widespread application of MGs is hindered primarily by their limited glass-forming ability (GFA) for the manufacture of large-scale MGs. In this work, a t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5769bdf3c7bf5f4d2239e460da4995e5
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.160040
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.160040
Autor:
Alan Sellinger, Nripan Mathews, Teck Lip Dexter Tam, Lydia Helena Wong, Subodh Mhaisalkar, G.C. Xing, Tze Chien Sum, Than Zaw Oo
Publikováno v:
Thin Solid Films. 518:5292-5299
Two cyano oligo-phenylene-vinylenes [α-CNOPV and β-CNOPV] distinguished by the position of cyano (CN) group at the vinylic double bond were synthesized. The acceptor oligomer CNOPVs were blended with poly(2-methoxy-5-(2′-ethyl-hexyloxy)-p-phenyle
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aa56c55cb76755255e364ea42eca7a1e
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.04.115
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.04.115
Autor:
D. Lopes, G.E Miner, G.C Xing, B. Crivelli, D. Brazzelli, R. Zonca, N D’Astici, Massimo Bersani, Satheesh Kuppurao, Gabriella Ghidini
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 40:641-644
The aim of this work is to investigate the possibility of producing high quality gate oxides by means of the RTP equipment. In particular, different nitrided oxides are compared. Nitrogen distributions are obtained by SIMS measurements and correlated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2acc6e25b4a512db1905420be18698be
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00268-1
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(99)00268-1
Autor:
G.C. Xing, Mehmet C. Öztürk
Publikováno v:
Materials Letters. 17:379-382
In this paper, we report selective formation of TiSi 2 on Si using SiH 4 and TiCl 4 at low temperatures (600–750°C) by first depositing a thin (20–30 nm) Si-Ge alloy selectively on Si with respect to SiO 2 . The Si-Ge alloy layer, which can be d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c0136df0a18c20da00cce8026f27b60
https://doi.org/10.1016/0167-577x(93)90130-p
https://doi.org/10.1016/0167-577x(93)90130-p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.