Zobrazeno 1 - 10
of 83
pro vyhledávání: '"G.B. Alers"'
Publikováno v:
Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 19:977-982
A methodology is developed for the extraction of cell-level properties from the analysis of differential IV response in a solar module with series connected cells. Through a combination of simulation and experimental verification we show that the shu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1dc62cbf694ea461f5ef4a84ff196079
https://doi.org/10.1002/pip.1013
https://doi.org/10.1002/pip.1013
Autor:
L. Chen, R. Augur, K. Shannon, K. Lam, M. Danek, A. Vijayendran, G.B. Alers, S. Pfeifer, H. Cox, P. Gillespie
Publikováno v:
2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual..
A significant improvement in electromigration performance for copper dual damascene structures was observed with the use of Pulsed Deposition Layer (PDL) TiN(Si) as a copper diffusion barrier layer instead of conventional sputtered (PVD) Ta/TaN. When
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee07aae9cb9f780b08e6588a18e5d0c7
https://doi.org/10.1109/relphy.2003.1197736
https://doi.org/10.1109/relphy.2003.1197736
Publikováno v:
2001 IEEE International Integrated Reliability Workshop. Final Report (Cat. No.01TH8580).
In this paper, techniques to measure reliability of inter-line dielectrics (both SiO/sub 2/ and SiOC) in copper dual damascene structures are described. The failure times for tests of single damascene structures were found to vary by many orders of m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::912eadba71ee1eb49073783fe4ef02ec
https://doi.org/10.1109/irws.2001.993923
https://doi.org/10.1109/irws.2001.993923
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217).
A new class of high dielectric constant materials is presented based on binary and ternary amorphous metal oxides. These films are compatible with low temperature processing and can be used with conventional metal electrodes like TiN. Metal alloys of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2fad13fcdc95a5cc94fbca264a36cf54
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746482
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746482
Publikováno v:
2001 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 39th Annual (Cat. No.00CH37167).
Thermal treatments of electroplated copper films before CMP can increase grain size and therefore reduce resistance and improve electromigration reliability. However, high temperature excursions can also increase the stress levels in thick metal laye
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05ef1c5f7efa51258f5ab5f0b8e4c422
https://doi.org/10.1109/relphy.2001.922926
https://doi.org/10.1109/relphy.2001.922926
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.