Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"G.-Y. Siang"'
Autor:
H.-Y. Chen, K.-S. Li, Ming-Han Liao, C.-Y. Liao, C. Lo, Min-Hung Lee, G.-Y. Siang, Shun-Ping Chang, K.-T. Chen
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 40:399-402
FeFETs with 5-nm-thick Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) have been demonstrated in memory operations for the ON/OFF current ratio >104 at zero gate voltage and a memory window (MW) of 0.6–0.7 V. A gradual transition of the ferroelectricity with an increasing crys
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e1f4783eb13324e7277b977346147fd7
https://doi.org/10.1109/led.2019.2896231
https://doi.org/10.1109/led.2019.2896231
Autor:
S.-H. Chang, Min-Hung Lee, S.-H. Chiang, Ming-Han Liao, C.-Y. Wang, Chun-Ming Chang, H.-Y. Yang, Yu-De Lin, Y.-Y. Lin, Y.-Y. Tseng, K.-T. Chen, P.-C. Yeh, P.-J. Tzeng, J.-H. Liu, C. Lo, G.-Y. Siang, H. Liang, C.-Y. Chueh, Yao-Joe Yang, Y.-J. Tseng, Shun-Ping Chang, F.-C. Hsieh
Publikováno v:
IRPS
The 3D double layer Ω-type FETs with ferroelectric HfZrO 2 gate served for one-transistor (1T) architecture is demonstrated and studied for memory reliability. The high endurance is presented more than 106 cycles P/E with 4V. Multi-domain model inte
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90835884fd91981387bd12ebaaf6ec11
https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.9129088
https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.9129088
Autor:
Chun-Yen Chang, Y.-Y. Lin, C.-Y. Chueh, Chee-Wee Liu, Y.-J. Tseng, F.-C. Hsieh, Min-Hung Lee, K.-T. Chen, Shun-Ping Chang, K.-S. Li, Ming-Han Liao, C.-Y. Liao, H.-Y. Chen, C. Lo, Yao-Joe Yang, G.-Y. Siang
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Being the first demonstration of quasi-antiferroelertic Hf 1-x Zr x O 2 (QAFE-HZO, Zr=75%) negative-capacitance (NC) FET with non-hysteretic bi-directional sub-60mV/dec (SS for =51mV/dec, SS rev =53mV/dec, ΔV T FE overlap of negative dQ/dV FE for fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6090983655c4d3f7cf5b1974e0bf1c18
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993581
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993581
Autor:
P.-G. Chen, Z.-Y. Wang, S.-S. Gu, Chee-Wee Liu, H.-Y. Chen, K.-T. Chen, C.-Y. Liao, Heng-Yuan Lee, S.-Y. Chen, J. Le, Y.-C. Chou, Y. D. Lin, R.-C. Hong, K.-S. Li, M. Tang, G.-Y. Siang, Min-Hung Lee
Publikováno v:
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Extremely steep switch of negative-capacitance (NC) Nanosheet (NS) GAA-FETs and FinFETs are experimentally presented with $\text{SS}_{\text{avg}}/\text{SS}_{\min}=22/14\text{mV}/\text{dec}$ and $\text{SS}_{\text{avg}}/\text{SS}_{\min}=38/21\ \text{mV
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bc68cd9aa62402baa5b811010e00b555
https://doi.org/10.1109/iedm.2018.8614510
https://doi.org/10.1109/iedm.2018.8614510
Autor:
K.-T. Chen, C.-Y. Liao, R.-C. Hong, S.-S. Gu, Y.-C. Chou, Z.-Y. Wang, S.-Y. Chen, G.-Y. Siang, H.-Y. Chen, C. Lo, P.-G. Chen, Y.-J. Lee, M.-H. Liao, K.-S. Li, S.T. Chang, M.-H. Lee
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ad39143f9bbb12d28f3c89f17dd4184a
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-4-01
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.c-4-01
Autor:
H.-Y. Chen, K.-S. Li, C. Lo, Chun-Ming Chang, G.-Y. Siang, C.-Y. Liao, Yao-Joe Yang, K.-T. Chen, Shun-Ping Chang, Y.-Y. Lin, Min-Hung Lee, Ming-Han Liao, Y.-J. Tseng, C.-Y. Chueh
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 215:110991
The ferroelectric HfZrO2 (HZO) is focused on coercive voltage for onset of negative capacitance (NC) with sub-2.3kbT/q subthreshold swing (SS). The Fe-FETs with ultra-thin HZO (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::375db7ee4b5ce06bdb44c3cb2c8a05fc
https://doi.org/10.1016/j.mee.2019.110991
https://doi.org/10.1016/j.mee.2019.110991
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.