Zobrazeno 1 - 10
of 105
pro vyhledávání: '"G. Zentai"'
Autor:
Zs. Illyefalvi-Vitéz, G. Zentai
Publikováno v:
Active and Passive Electronic Components, Vol 11, Iss 3, Pp 209-214 (1984)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7fa3f8c4f27043a9a0538e99d8bb0f6a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G Zentai
Publikováno v:
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. 60:908-915
Computed tomography (CT) exams provide orders of magnitude higher radiation than a single-view X-ray. The chance of getting cancer from X-ray radiation has been increasing by 1.5-2% at every CT exam. Therefore, decreasing the dose per CT exam is a ma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::413c2f4da5e617e589121422db05d630
https://doi.org/10.1109/tim.2010.2045441
https://doi.org/10.1109/tim.2010.2045441
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 26:456-460
The effect of sulphur addition on some structural properties of a-Se was studied for compositions up to about 30 at.% S. The sulphur in the binary amorphous semiconductor system Se-S was found to affect the density (d), microhardness (VH), dielectric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de845fd610ea891d398ba5023c6a8a9c
https://doi.org/10.1088/0022-3727/26/3/018
https://doi.org/10.1088/0022-3727/26/3/018
Autor:
G. G. Skrotskaya, V. N. Denisov, B. N. Mavrin, G. Zentai, L. Pogány, Svetlana Popova, V. I. Larchev
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 135:255-258
The microstructure of bulk samples of GaSb, obtained by rapid quenching from the liquid, was investigated by scanning electron microscope (SEM) and by Raman scattering. The Raman data showed that some spots observed in the samples by SEM were Sb, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::117c66e443ea633e3f72c76eb04d234c
https://doi.org/10.1016/0022-3093(91)90428-9
https://doi.org/10.1016/0022-3093(91)90428-9
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 130:256-259
Field-induced doping was studied in doped and undoped (intrinsic) a-Si:H samples. It was found that field-induced doping occurs in n-type and intrinsic materials. Capacitance and current measurements on doped and undoped Schottky-diode samples show c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1962790e5397eb6481d6e48b4950b7bd
https://doi.org/10.1016/0022-3093(91)90362-a
https://doi.org/10.1016/0022-3093(91)90362-a
Autor:
D.L. Huber, G. Zentai
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1475-1480
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7969be06c2b744547e398be919b55446
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.1475
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.1475
Autor:
L. Partain, G. Zentai
Publikováno v:
Health Monitoring of Structural and Biological Systems 2008.
A 13 cm × 13 cm size mercuric iodide (HgI2) imager was tested for high (MeV) energy X-ray imaging with a 6 MeV Betatron and a 4 MeV Linac x-ray source, and the data were compared to those measured at diagnostic (keV) energies. The 127 μm pixel size
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8806048ddd1b8c5227c1dba49db7d38
https://doi.org/10.1117/12.776537
https://doi.org/10.1117/12.776537