Zobrazeno 1 - 10
of 311
pro vyhledávání: '"G. Wachutka"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Surface and Coatings Technology. :526-530
A planar inductively coupled plasma source (ICP) used for diamond deposition experiments was characterised theoretically as well as experimentally. In the typical process window (gas pressure 400 Pa) the discharge shows strong local variations of tem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::75cdd945cdf4e26f8828f891ba975ec7
https://doi.org/10.1016/s0257-8972(01)01053-2
https://doi.org/10.1016/s0257-8972(01)01053-2
Publikováno v:
IEEE Transactions on Magnetics. 36:835-839
Formulation of transient skin effect problems in terms of potentials are presented. In case of a prescribed voltage, a magnetic vector potential and an electric scalar potential and, if the current is given, a current vector potential and a magnetic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8fb28d853f5997b9b7a6f8fbe7edc315
https://doi.org/10.1109/20.877574
https://doi.org/10.1109/20.877574
Autor:
M. Lades, G. Wachutka
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 44:359-368
A comprehensive electrothermal transport model is presented which covers, on the continuous-field level, several physical effects particularly relevant to SiC devices. The effect of anisotropic transport properties and impurity kinetics on the device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a38aefe7a439e45d82f8f50451b662fd
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00243-9
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00243-9
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. :415-418
A detailed numerical analysis of implanted top-gate 6H–SiC JFET structures was performed revealing the influence of a non-uniform channel doping profile. Based on structural parameters extracted from simulations of the device characteristics at var
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::948853d67610482e3c834b9683e20ffe
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00545-5
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00545-5