Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Au/P3HT:PCBM/n-Si Schottky Bariyer Diyotlarda PCBM Konsantrasyonunun Kapasitans-Voltaj (C-V) ve İletkenlik-Voltaj (G/w-V) Karakteristiklerine Etkisi ve Dielektrik Özelliklerin İncelemesi

Autor: Hüseyin Muzaffer Şağban, Serpil Karasu, Aynur Öztürk, Özge Tüzün Özmen

Publikováno v: Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi, Vol 4, Iss 1, Pp 55-66 (2016)

Bu çalışmada, farklı P3HT:PCBM katkı oranları (4:1 ve 10:1) kullanılarak hazırlanan altın/poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester/n-tipi silisyum (Au/P3HT:PCBM/n-Si) metal–polimer–yarıiletken (MPY) Schottky bar

Externí odkaz: https://doaj.org/article/7171301d41154c8f91bb48197bae1d35

Zobrazit plný text záznamu

MoO3 Arayüzey Tabakalı Metal/Yarıiletken Yapısının Düşük Frekans Değerleri için Dielektrik Özelliklerinin İncelenmesi

Autor: Özen, Yunus, Efkere, Halil İbrahim, Asar, Tarık, Özçelik, Süleyman

Publikováno v: Volume: 2, Issue: 1 24-33
Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi

Bu çalışmada, Molibden trioksit (MoO3) ara tabakalı Au/n-GaAs yapısının dielektrik özellikleri 0-4 V aralığında 0.25 V adımlarla düşük frekanslar için incelendi. MoO3 ince filmi radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kull

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e647687b577c9c10a2579ecbaef758f9
https://avesis.gazi.edu.tr/publication/details/9f7b5807-bea7-4e49-920b-1fb95a2e14ba/oai

Zobrazit plný text záznamu

Au/P3HT:PCBM/n-Si Schottky Bariyer Diyotlarda PCBM Konsantrasyonunun Kapasitans-Voltaj (C-V) ve İletkenlik-Voltaj (G/w-V) Karakteristiklerine Etkisi ve Dielektrik Özelliklerin İncelemesi

Autor: ŞAĞBAN, Hüseyin Muzaffer, KARASU, Serpil, ÖZTÜRK, Aynur, TÜZÜN ÖZMEN, Özge

Publikováno v: Volume: 4, Issue: 1 55-66
Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi

In this study, the capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of gold/poly(3- hexylthiophene):[6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester/n-type silicon (Au/P3HT:PCBM/n-Si) metal– polymer–semiconductor (MPS) Schottk

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::c838a59520bc825b967df9977d0fa46d
https://dergipark.org.tr/tr/pub/dubited/issue/24381/258448

Zobrazit plný text záznamu

The source of negative capacitance and anomalous peak in the forward bias capacitance-voltage in Cr/p-si Schottky barrier diodes (SBDs)

Autor: Ahmet Gümüş, Çiğdem Bilkan, Şemsettin Altındal

WOS: 000361774100066
The frequency and voltage dependence of capacitance voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of the Cr/p-Si metal semiconductor (MS) Schottky barrier diodes (SBDs) were investigated in the frequency and

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::87a44e5f35168c7dd56d0c2a03e71bba
https://hdl.handle.net/11480/3860

Zobrazit plný text záznamu

On the negative capacitance behavior in the forward bias of Au/n–4H–SiC (MS) and comparison between MS and Au/TiO2/n–4H–SiC (MIS) type diodes both in dark and under 200 W illumination intensity

Autor: Çetinkaya, Hayriye Gökçen, Yıldız, Dilber Esra, Altındal, Şemsettin

In order to see the effect of interfacial layer on electrical characteristics both Au/n-4H- SiC (MS) and Au/TiO2/n-4H-SiC (MIS) type Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated and their main electrical parameters were investigated by using the fo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4366::51b721cbc3cf5b92f9b2dd1491bc6d7b
https://hdl.handle.net/11491/764

Zobrazit plný text záznamu

Illumination dependent admittance characteristics of Au/Zinc acetate doped polyvinyl alcohol (PVA:Zn)/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs)

Autor: İ. Taşçıoğlu, U. Aydemir, Ş. Altındal, T. Tunç, Muhammed Hasan Aslan, Ahmet Yayuz Oral, Mehmet Özer, Süleyman Hikmet Çaglar

1st International Congress on Advances in Applied Physics and Materials Science (APMAS) -- MAY 12-15, 2011 -- Antalya, TURKEY
WOS: 000301042000058
This study presents the effect of illumination on main electrical parameters of Schottky barr

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::72614272d75d97ce8c67fcba3b113742
https://hdl.handle.net/20.500.12451/5085

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání