Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"G. Stöger"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Maciej Sawicki, A. Prinz, Tomasz Dietl, Friedrich Schäffler, Jan Jaroszynski, G. Bauer, G. Brunthaler, G. Stöger
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 11:1624-1629
Symmetrically strained Si/SiGe superlattices (25 A wells/14 A barriers) with homogeneous Sb doping concentrations of 4.5 and show low-temperature magnetoconductivity effects which can be explained by single-electron backscattering and disorder-induce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a93dc0e33e576d71ff9d4ca38718f9f8
https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/11s/030
https://doi.org/10.1088/0268-1242/11/11s/030
Autor:
B. S. Meyerson, J Lutz, G. Stöger, F. Kuchar, Khalid EzzEldin Ismail, G. Bauer, G. Brunthaler
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 9:765-771
The energy loss rate of two-dimensional hot electrons has been studied in modulation-doped Si/SiGe heterostructures grown by ultrahigh-vacuum chemical vapour deposition using the damping of the amplitudes of Shubnikov-de Haas oscillations with applie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::53c69d9552acaab956cf8c43ed039f92
https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/5s/100
https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/5s/100
Autor:
G. Stöger, J Lutz, G. Bauer, Friedemar Kuchar, Bernard S. Meyerson, Khalid EzzEldin Ismail, G. Brunthaler
Publikováno v:
Physical Review B. 49:10417-10425
The energy-loss rate of hot carriers in several modulation-doped Si/${\mathrm{Si}}_{1\mathrm{\ensuremath{-}}\mathit{x}}$${\mathrm{Ge}}_{\mathit{x}}$ heterostructures has been studied. The Ohmic properties of the Si/${\mathrm{Si}}_{1\mathrm{\ensuremat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ad1391e40b11b96cc5bfc59760c46d57
https://doi.org/10.1103/physrevb.49.10417
https://doi.org/10.1103/physrevb.49.10417
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 84:765-768
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ae3820d8a667367ac3f8e2b013fa7b8
https://doi.org/10.12693/aphyspola.84.765
https://doi.org/10.12693/aphyspola.84.765
Publikováno v:
Materials Science Forum. :641-646
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7370f3d829eb17fc97411ab8c83fb0fd
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.641
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.641
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1149-1154
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e3a16eafbde1a12448964e6e6d65967f
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.1149
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.1149
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 65:3084-3086
The achievable two‐dimensional (2D) electron concentration in a δ‐doped quantum well depends on the Al content in the doping layer and is considerably lower than the nominal doping concentration. This behavior has been so far attributed to diffe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ae9db1f85d6a8c7512b5eabb6c7882a
https://doi.org/10.1063/1.112989
https://doi.org/10.1063/1.112989