Zobrazeno 1 - 10
of 405
pro vyhledávání: '"G. Savelli"'
Publikováno v:
IEEE Sensors Journal. 23:8162-8168
Power components such as High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are used for high power and high frequency applications. These tend to overheat and destroy their packaging and connections to the wire bondings. This paper presents planar micro-the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86006c87ac5b3a551242f14586fd7051
https://doi.org/10.1109/jsen.2021.3107772
https://doi.org/10.1109/jsen.2021.3107772
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 50:1301-1306
In this paper, the thermoelectric properties of n-type GaN and a 2D electron gas (2DEG) created from an AlGaN/GaN heterostructure are presented. Their thermoelectric properties are essential in order to optimise the thermoelectric devices they are us
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96f540a74eb08024fa108fe376084c88
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08652-3
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08652-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Perceval Coudrain, Luc G. Fréchette, Matthias Keller, Y. Manoli, L-M. Collin, A. Royer, G. Savelli, S. Billat, Jean-Philippe Colonna, Jérôme Barrau
Publikováno v:
2018 24rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC)
2018 24rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), Sep 2018, Stockholm, Sweden. pp.1-5, ⟨10.1109/THERMINIC.2018.8593310⟩
2018 24rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), Sep 2018, Stockholm, Sweden. pp.1-5, ⟨10.1109/THERMINIC.2018.8593310⟩
Thermal dissipation is a major issue in microelectronics, especially for 3D circuits where the dense stacking of thin silicon layers leads to a significant increase of heat densities. In this context the H2020 European project STREAMS develops active
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::59f59f6fbcfe447be52b6e5df08125b4
https://doi.org/10.1109/therminic.2018.8593310
https://doi.org/10.1109/therminic.2018.8593310
Autor:
R. Prieto, Pascal Vivet, Jean Michailos, G. Savelli, Louis-Michel Collin, Jean-Philippe Colonna, H. Beckrich-Ros, Montse Vilarrubí, Julie Widiez, Perceval Coudrain, Luc G. Fréchette, K. Triantopoulos, M. Shirazi, Jérôme Barrau, Kremena Vladimirova, Q. Struss, Hassan Azarkish, Gerard Laguna
Publikováno v:
2018 IEEE Symposium on VLSI Technology
2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, France. pp.15-16, ⟨10.1109/VLSIT.2018.8510677⟩
2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2018, Honolulu, France. pp.15-16, ⟨10.1109/VLSIT.2018.8510677⟩
This paper describes evolutions of circuit environment to face an ever-increasing thermal challenge, from early design stage down to the final package. To illustrate this critical concern we give a portrayal of innovative technologies and concepts st
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4c87c9d7139d2ebf0c281c3203a3ab34
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02073365
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02073365
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.