Zobrazeno 1 - 10
of 148
pro vyhledávání: '"G. Rondeau"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Heiss, D. González, Rainer Timm, G. Rondeau, Håkan T Johansson, P. Cabanelas, Pavel Golubev, R. Gernhäuser, Andreas Martin Heinz, Ángel Perea, Enrique Casarejos, P. Díaz Fernández, T. Kröll, M. Feijoo, E. Galiana, Z. Ren, H. Alvarez-Pol, Olof Tengblad, L. Ponnath, H. B. Rhee, P. Teubig, A.-L. Hartig, Joakim Cederkäll, P. Klenze, Daniel Galaviz, J. Benlliure, A. Knyazev, J. L. Rodriguez-Sanchez, L. Causeret, Ivan G. Scheblykin, D. Cortina-Gil, Joochun Park
Publikováno v:
Investigo. Repositorio Institucional de la Universidade de Vigo
Universidade de Vigo (UVigo)
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
Universidade de Vigo (UVigo)
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
instname
10 pags., 9 figs., 2 tabs.
Simulation results for light transport in long tapered CsI(Tl) crystals using look-up tables (LUTs) are presented. The LUTs were derived from the topography of a polished and a lapped surface of a CsI(Tl) crystal measu
Simulation results for light transport in long tapered CsI(Tl) crystals using look-up tables (LUTs) are presented. The LUTs were derived from the topography of a polished and a lapped surface of a CsI(Tl) crystal measu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b92987f82850a83be6d192f7906a1229
http://hdl.handle.net/11093/2694
http://hdl.handle.net/11093/2694
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 195:681-686
InGaAs/InP composite channel HEMTs are good candidates for electro-absorption modulator driver applications where both high speed and high breakdown voltage are required. For other applications – input stage of a pin-HEMT receiver for example – h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7f41027d5f14e49f879c0312f7dc873
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00590-9
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00590-9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. L. DesGranges, G. Rondeau
Publikováno v:
The Forestry Chronicle. 71:201-210
This study addresses the relationships between changes in the structure of bird communities and changes in the composition and structure of forest vegetation resulting from an insect infestation. The study compares two balsam fir-white birch forests
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::387307b3fd0002cff7d53c619021c322
https://doi.org/10.5558/tfc71201-2
https://doi.org/10.5558/tfc71201-2
Autor:
J. Collins, B. Hamilton, S. Nagaitsev, Derun Li, M.G. Minty, Alex Chao, Y.T. Yan, W. Gabella, S. Dutt, G. East, W. Lamble, B. B. Brabson, J. Budnick, D. D. Caussyn, D.L. Friesel, H. Huang, M. Ellison, G. Rondeau, S. Y. Lee, X. Pei, M. Ball, P.L. Zhang, W.P. Jones, T. Sloan, V. Derenchuk, Michael Syphers, Timothy J.P. Ellison, S. A. Curtis, King Yuen Ng, S. Tepikian
Publikováno v:
Physical Review Letters. 70:591-594
The synchroton motion of a beam was tracked for the first time by digitizing the phase of the beam signal from a high bandwidth wall gap monitor relative to the rf phase and the momentum deviation with a transverse beam position measurement in a high
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0440745836565521fc496f4e75498067
https://doi.org/10.1103/physrevlett.70.591
https://doi.org/10.1103/physrevlett.70.591
Publikováno v:
Zentralblatt für Gynäkologie. 127
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3741e3faa1110df7b69de060999c24fc
https://doi.org/10.1055/s-2005-870708
https://doi.org/10.1055/s-2005-870708
Publikováno v:
24th Annual Technical Digest Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposiu.
The design, fabrication and characteristics of a coplanar distributed ultra broadband amplifier are presented. The circuit is fabricated using a composite channel InP CC-HEMT high breakdown voltage technology developed in Alcatel OPTO+. It exhibits a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65348439f2f83bc5c986898dd07929e7
https://doi.org/10.1109/gaas.2002.1049039
https://doi.org/10.1109/gaas.2002.1049039