Zobrazeno 1 - 10
of 385
pro vyhledávání: '"G. Rijnders"'
Autor:
M. T. Do, N. Gauquelin, M. D. Nguyen, F. Blom, J. Verbeeck, G. Koster, E. P. Houwman, G. Rijnders
Publikováno v:
APL Materials, Vol 9, Iss 2, Pp 021113-021113-7 (2021)
Polarization fatigue, i.e., the loss of polarization of ferroelectric capacitors upon field cycling, has been widely discussed as an interface related effect. However, mechanism(s) behind the development of fatigue have not been fully identified. Her
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c7a14bf91a044d39b7709b6c61358371
Publikováno v:
APL Materials, Vol 8, Iss 6, Pp 061108-061108-6 (2020)
Near-infrared absorption in transparent conducting oxides (TCOs) is usually caused by electronic intraband transition at high doping levels. Improved infrared transparency is commonly explained by enhanced drift mobility in these TCOs. Here, an alter
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e13ad99ad646403bbc2903d1605666a2
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-5 (2017)
Abstract An anisotropic double exchange interaction driven giant transport anisotropy is demonstrated in a canonic double exchange system of La2/3Sr1/3MnO3 ultrathin films epitaxially grown on NdGaO3 (110) substrates. The oxygen octahedral coupling a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6fb2a89a5b374771a6d62560991b254c
Publikováno v:
APL Materials, Vol 2, Iss 9, Pp 096103-096103-7 (2014)
We report on the fabrication and mechanical properties of all-oxide, free-standing, heteroepitaxial, piezoelectric, microelectromechanical systems (MEMS) on silicon, using PbZr0.52Ti0.48O3 as the key functional material. The fabrication was enabled b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b0815c3caa2447f68f43b4ac47f5f5f6
Autor:
A. McCollam, S. Wenderich, M. K. Kruize, V. K. Guduru, H. J. A. Molegraaf, M. Huijben, G. Koster, D. H. A. Blank, G. Rijnders, A. Brinkman, H. Hilgenkamp, U. Zeitler, J. C. Maan
Publikováno v:
APL Materials, Vol 2, Iss 2, Pp 022102-022102-7 (2014)
We have performed high field magnetotransport measurements to investigate the interface electron gas in a high mobility SrTiO3/SrCuO2/LaAlO3/SrTiO3 heterostructure. Shubnikov-de Haas oscillations reveal several 2D conduction subbands with carrier eff
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bd941213dfa647a59153cbdb139c0a0d
Publikováno v:
Journal of Applied Physics, 133(14). American Institute of Physics
We are reporting on high quality epitaxial thin films of [Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.67-(PbTiO3)0.33 [PMN-PT (67/33)]. These films were deposited on (001) oriented, vicinal SrTiO3 single crystal substrates, using 1 mol. % niobium-doped Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3 (N
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.