Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"G. Richou"'
Autor:
G. Richou, M. Comas, F. Nogueira, D. Petit, D. Dorval, L. Denis, Bruno Delahaye, M. Bostelmann, V. Dureuil, P. Deconinck, C. Fournier
Publikováno v:
2009 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference.
A yield loss previously never seen occurred on a 0.13 µm technology node product for RF applications. Unfortunately, the in-line monitoring was not successful to catch the problem. Defective chips have been analysed to identify the rootcause mechani
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7c448ad495eab9cd8c8d6bf9245374b4
https://doi.org/10.1109/asmc.2009.5155946
https://doi.org/10.1109/asmc.2009.5155946
Autor:
Bruno Delahaye, F. Aonzo, V. Dureuil, Jean-Luc Baltzinger, E. Rondey, F. Allais, S. Chantepie, S. Delabriere, J.B. Meyniel, L. Denis, F. Poli, P. Costaganna, C. Bru, S. Lariviere, G. Richou, P. Raffin
Publikováno v:
2009 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference.
In this paper we present the methodology for the extreme edge of the wafer qualification for aluminium 0.22 µm embedded EEPROM technology, as Edge Exclusion has moved to 2 mm. Yield challenges, cost effective solutions for the yield edge detractors,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::21e67bd98884e97a765cb9722428ca8f
https://doi.org/10.1109/asmc.2009.5155965
https://doi.org/10.1109/asmc.2009.5155965
Autor:
N. Laporte, D. Ottenwaelder, Bruno Delahaye, D. Garroux, F. Domart, J.F. Langlois, F. Nogueira, G. Richou, Jean-Luc Baltzinger, J. Liebault, A. Soudry, D. Donnard, H. Lefevre, J.P. Brun, A. Coudray, P. Fraquet
Publikováno v:
2008 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference.
During the qualification phase of a 0.25 mum technology node for power and RF applications, the reliability test was degraded on the voltage breakdown (Vbd) of the gate oxide, with a potential root cause due to oxide itself. A partitioning has been d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c651cb8a648373855b6ece1ac2aee074
https://doi.org/10.1109/asmc.2008.4529049
https://doi.org/10.1109/asmc.2008.4529049
Autor:
J.-L. Grolier, S. Delabriere, Bruno Delahaye, F. Domart, Jean-Luc Baltzinger, P. Boissy, Malamine Sanogo, A. Zinger, G. Richou
Publikováno v:
2007 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC).
Due to device degradations, the metallic contamination is monitored in semiconductor manufacturing lines with analysis of the incoming products and in-line electrical characterization. Some intermittent gate disturb fallout was observed on flash memo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51c305f36e0a02f99a9c41a8dd7c3ad1
https://doi.org/10.1109/asmc.2007.375095
https://doi.org/10.1109/asmc.2007.375095
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.