Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"G. Rademaker"'
Autor:
M.-L. Pourteau, A. Gharbi, P. Brianceau, J.-A. Dallery, F. Laulagnet, G. Rademaker, R. Tiron, H.-J. Engelmann, J. von Borany, K.-H. Heinig, M. Rommel, L. Baier
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 9, Iss , Pp 100074- (2020)
SETs (Single-Electron-Transistors) arouse growing interest for their very low energy consumption. For future industrialization, it is crucial to show a CMOS-compatible fabrication of SETs, and a key prerequisite is the patterning of sub-20 nm Si Nano
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/293532bf485e4b0bb8f502c2bf8aa57a
Autor:
J von Borany, H-J Engelmann, K-H Heinig, E Amat, G Hlawacek, F Klüpfel, R Hübner, W Möller, M-L Pourteau, G Rademaker, M Rommel, L Baier, P Pichler, F Perez-Murano, R Tiron
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 38:055011
This study addresses the complementary metal-oxide-semiconductor-compatible fabrication of vertically stacked Si/SiO2/Si nanopillars (NPs) with embedded Si nanodots (NDs) as key functional elements of a quantum-dot-based, gate-all-around single-elect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70cc75628207d2fa354e36ca2239d2ab
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acbe5d
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acbe5d
Autor:
A del Moral, E Amat, H-J Engelmann, M-L Pourteau, G Rademaker, D Quirion, N Torres-Herrero, M Rommel, K-H Heinig, J von Borany, R Tiron, J Bausells, F Perez-Murano
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology 37(2022), 125014-125023
This study analyzes feasibility of complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS)-compatible manufacturing of a hybrid single electron transistor–field effect transistor (SET-FET) circuit. The fundamental element towards an operating SET at roo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bad847d133d5a21f971c279a7b843ca1
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac9f61
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac9f61
Publikováno v:
Metrology, Inspection, and Process Control for Semiconductor Manufacturing XXXV
Hybrid metrology is a promising approach to access to the critical dimensions of line gratings with precisions. The objective of this work is about using artificial intelligence (AI), mainly artificial neural network (ANN) to improve metrology at nan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7606a06c8398f2e450725cdf8d3e7e0f
https://doi.org/10.1117/12.2583590
https://doi.org/10.1117/12.2583590
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.