Zobrazeno 1 - 10
of 264
pro vyhledávání: '"G. Pozina"'
Autor:
A. R. Gubaydullin, C. Symonds, J. Bellessa, K. A. Ivanov, E. D. Kolykhalova, M. E. Sasin, A. Lemaitre, P. Senellart, G. Pozina, M. A. Kaliteevski
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-9 (2017)
Abstract It was theoretically and experimentally demonstrated that in metal/semiconductor Tamm plasmon structures the probability of spontaneous emission can be increased despite losses in metal, and theoretical analysis of experimental results sugge
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cb67c351ddd74ac3a397ab4d29995182
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 7, Iss 1, Pp 015303-015303-7 (2017)
Linear polarization properties of light emission are presented for GaN nanorods (NRs) grown along [0001] direction on Si(111) substrates by direct-current magnetron sputter epitaxy. The near band gap photoluminescence (PL) measured at low temperature
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a7ce0e56a3ff4df19a961394ab45c778
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A R, Gubaydullin, C, Symonds, J, Bellessa, K A, Ivanov, E D, Kolykhalova, M E, Sasin, A, Lemaitre, P, Senellart, G, Pozina, M A, Kaliteevski
Publikováno v:
Scientific Reports
It was theoretically and experimentally demonstrated that in metal/semiconductor Tamm plasmon structures the probability of spontaneous emission can be increased despite losses in metal, and theoretical analysis of experimental results suggested that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::2dd864e9f25667702400e4b15dd2e91b
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28827784
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28827784
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scientific Reports
In the quest of developing high performance electronic and optical devices and more cost effective fabrication processes of monoclinic β-Ga2O3, new growth techniques and fundamental electronic and optical properties of defects have to be explored. B
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::7e914e120f96f31adcaade5589977e6f
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28176841
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28176841
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bo E. Sernelius, A.V. Buyanov, Bo Monemar, Per-Olof Holtz, J.V. Thordson, G. Pozina, Lynnette D. Madsen, Thorvald Andersson, H. H. Radamson, J. P. McCaffrey
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
An ultrathin, a few monolayers (MLs) thick Si δ-layer, has been embedded in GaAs. The Si δ-layer properties have been electrically and structurally characterized. A conductivity transition has been observed, when going from free carrier transport i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ac43d2c63cf9e8cf6fd2829494073720
https://doi.org/10.1016/s1386-9477(98)00052-6
https://doi.org/10.1016/s1386-9477(98)00052-6
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 92:727-732
We report results for Si layers embedded in GaAs, extending from the delta-doped (δ-doped) range up to 6 monolayers derived by means of variable temperature resistivity and Hall effect measurements, secondary ion mass spectrometry and high resolutio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6718bb7251f20af208ad7e6120af3d0
https://doi.org/10.12693/aphyspola.92.727
https://doi.org/10.12693/aphyspola.92.727