Zobrazeno 1 - 10
of 681
pro vyhledávání: '"G. Pourtois"'
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 8, Iss 5, Pp 055010-055010-10 (2018)
Hole-doped monolayer SnO has been recently predicted to be a ferromagnetic material, for a hole density typically above 5x1013/cm2. The possibility to induce a hole-doped stable ferromagnetic order in this two-dimensional material, either by intrinsi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5b7a9415be8344c9aaaae4b43716a027
Autor:
C. Porret, J.-L. Everaert, M. Schaekers, L.-A. Ragnarsson, A. Hikavyy, E. Rosseel, G. Rengo, R. Loo, R. Khazaka, M. Givens, X. Piao, S. Mertens, N. Heylen, H. Mertens, C. Toledo De Carvalho Cavalcante, G. Sterckx, S. Brus, A. Nalin Mehta, M. Korytov, D. Batuk, P. Favia, R. Langer, G. Pourtois, J. Swerts, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78086ce8edcc5c3d4eede696a5240455
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019501
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019501
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting (IEDM), DEC 03-07, 2022, San Francisco, CA
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)
Restricted use of toxic elements is being explored extensively in the semiconductor industry for sustainable developments. In response to this trend, we performed systematic, and fully ab-initio screening for new ovonic threshold switching (OTS) tern
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ae667ee5304fceaf2b895ad686eeb9af
https://hdl.handle.net/10067/1967070151162165141
https://hdl.handle.net/10067/1967070151162165141
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.