Zobrazeno 1 - 10
of 946
pro vyhledávání: '"G. Patriarche"'
Autor:
E. Rongione, L. Baringthon, D. She, G. Patriarche, R. Lebrun, A. Lemaître, M. Morassi, N. Reyren, M. Mičica, J. Mangeney, J. Tignon, F. Bertran, S. Dhillon, P. Le Févre, H. Jaffrès, J.‐M. George
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 10, Iss 19, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract The helicity of three‐dimensional (3D) topological insulator surface states has drawn significant attention in spintronics owing to spin‐momentum locking where the carriers' spin is oriented perpendicular to their momentum. This property
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ac30cc8a8dff4e2990837d118d4e041f
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 10, Iss 4, Pp 045006-045006-8 (2020)
Two experimental implementations of the double-cantilever beam experiment, developed to measure the bonding energy in wafer-bonded semiconductors, are compared for the first time. The comparison is carried out in two material combinations relevant to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8443cffa75724424ac07cd009d70fbe2
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 7, Iss , Pp 3813-3814 (2017)
To monitor the damage evolution in Ge nanowires during Mn implantation, in situ transmission electron microscopy observations were carried-out as a function of the Mn fluence. Special interest lies in the sputtering of nanowires. We evidence an enhan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/39c344f8c3bc4365921f6f7114ee0f9a
Autor:
G. Naresh-Kumar, A. Vilalta-Clemente, S. Pandey, D. Skuridina, H. Behmenburg, P. Gamarra, G. Patriarche, I. Vickridge, M. A. di Forte-Poisson, P. Vogt, M. Kneissl, M. Morales, P. Ruterana, A. Cavallini, D. Cavalcoli, C. Giesen, M. Heuken, C. Trager-Cowan
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 4, Iss 12, Pp 127101-127101-13 (2014)
We report on our multi–pronged approach to understand the structural and electrical properties of an InAl(Ga)N(33nm barrier)/Al(Ga)N(1nm interlayer)/GaN(3μm)/ AlN(100nm)/Al2O3 high electron mobility transistor (HEMT) heterostructure grown by metal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9a46295aa3e341238236b26840a9191f
Autor:
T. Moudakir, F. Genty, M. Kunzer, P. Borner, T. Passow, S. Suresh, G. Patriarche, K. Kohler, W. Pletschen, J. Wagner, A. Ougazzaden
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 5, Iss 6, Pp 8400709-8400709 (2013)
We report on the realization and first demonstration of CW near-milliwatt-power emission at λ = 390 nm from resonant-cavity light-emitting diode (RCLED) on GaN templates. The vertical cavity consists of a bottom AlGaN/GaN distributed Bragg reflector
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8b03ee3960ce4af2b8fcb3939a24c1b4
Autor:
E. Rongione, L. Baringthon, D. She, G. Patriarche, R. Lebrun, A. Lemaître, M. Morassi, N. Reyren, M. Mičica, J. Mangeney, J. Tignon, F. Bertran, S. Dhillon, P. Le Févre, H. Jaffrès, J.‐M. George
Publikováno v:
Advanced Science.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::77fb6dd1641354b6ad9e7ffbc096a93a
https://doi.org/10.1002/advs.202301124
https://doi.org/10.1002/advs.202301124
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.