Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"G. Mtskeradze"'
Publikováno v:
physica status solidi (a). 202:1778-1785
The effective surface passivation is a key to achieve useful metal–insulator–semiconductor devices on GaAs. In this work, the composition and structure of the pyrolytic GeOxNy film deposited on GaAs in the hydrazine vapour has been studied by Aug
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7b36ce6b2ef8ad771b3b7f183966677
https://doi.org/10.1002/pssa.200420026
https://doi.org/10.1002/pssa.200420026
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.