Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"G. Montoriol"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of 1995 IEEE MTT-S International Microwave Symposium.
A large-signal model for RF power MOSFET has been obtained using a new characterization and extraction technique. This technique is based on pulsed I-V characteristics and pulsed S-parameters measurements, to take into account the thermal state of th
Autor:
P. Savary, G. Montoriol, F. Clayton, B. Thibaud, V. Esnault, E. Yu, M. Tutt, A. Mitra, D. Hill, A. Girardot, R. Uscola, A. Reyes, K. Rajagopalan, L. Cornibert, H. Henry, C. Rampley, M. Majerus, F. Dupis, Mariam G. Sadaka, S. Klingbeil, O. Izumi, L. Chapoux, R. Jaoui
Publikováno v:
GaAs IC Symposium. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium. 23rd Annual Technical Digest 2001 (Cat. No.01CH37191).
A heterojunction bipolar transistor (HBT) technology utilizing InGaP/GaAs and carbon-doped base has been established in Motorola's high-volume 6" GaAs facility. The technology has been used to develop an integrated dual band (824-849 MHz and 1850-191
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1985 15th European Microwave Conference.
MESFET and TEGFET equivalent circuit models are given as a function of drain and gate bias voltages. The models are prepared to include the dispersions on the characteristics of one wafer or from wafer to wafer. Two GaAs MESFETs having 1um and 0.5 ?m
Publikováno v:
19th European Microwave Conference, 1989.
This paper describes a methodology to design MMIC multistage amplifiers with the aims of maximum output power and minimum DC consumption. This method is illustrated with the example of an X Band amplifier. This circuit, with a size of 2.8 × 4 mm2 ex
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1988, 23 (7), pp.1215-1220. ⟨10.1051/rphysap:019880023070121500⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1988, 23 (7), pp.1215-1220. ⟨10.1051/rphysap:019880023070121500⟩
Trois exemples de réalisation de fonctions hyperfréquences classiques en technologie monolithique sont présentées dans cet article. Il s'agit d'un commutateur SPDT (Single Pole Double Throw), d'un déphaseur analogique 0-360° en bande X ainsi qu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6b60314c0e47a5a08d9c96ab9f981646
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245933
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245933
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.