Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"G. Meis‐Haugen"'
Autor:
G. E. Hofler, G. Meis-Haugen, J.M. DePuydt, S. Guha, Michael A. Haase, B. J. Wu, J. Qiu, M.S. Hagedorn, H. Cheng, P.F. Baude
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 138:667-676
Buried-ridge II–VI laser diodes operating at 511 nm at room temperature were fabricated from separate-confinement heterostructures. The layers consisted of a pseudomorphic CdZnSe quantum well and lattice-matched ZnSSe light-guiding and MgZnSSe clad
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9c8f4c67d31155f8480493734148835a
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)90889-3
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)90889-3
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 69:1089-1091
Three distinct etch pit features in ZnSe based epitaxial layers have been identified. The features were observed with optical dark field microscopy and confirmed to be pits using scanning electron microscopy. Using transmission electron microscopy, w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1e1ed4b63a816ba406cbd45cb7a3aa2
https://doi.org/10.1063/1.117067
https://doi.org/10.1063/1.117067
Autor:
M. Pashley, K.W. Haberern, J. Pettruzello, K. K. Law, T. J. Miller, Supratik Guha, Thomas M. Marshall, P.F. Baude, M. Buijs, G. Meis-Haugen, Michael A. Haase
Publikováno v:
LEOS '95. IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1995 Annual Meeting. 8th Annual Meeting. Conference Proceedings.
Great strides have been made in the area of Il-VI based short wavelength laser diodes since the first demonstration of pulsed blue-green lasers by 3M Company in 1991. These advances have been primarily due to a greater understanding of the material g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::921b689aa7f120bef26bc94642b015b5
https://doi.org/10.1109/leos.1995.484631
https://doi.org/10.1109/leos.1995.484631
Autor:
G. Meis-Haugen, J. M. De Puydt, Michael A. Haase, B. J. Wu, Hwa Cheng, Supratik Guha, Jun Qiu
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 63:2935-2937
We report on the first molecular beam epitaxial (MBE) growth of CdZnS on (100) GaAs substrates using elemental Zn, Cd, and S sources. Single crystal cubic CdZnS layers lattice matched to GaAs have been successfully prepared. The competition in incorp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9f7dc3ce40e231367ccef274a6b2ff32
https://doi.org/10.1063/1.110278
https://doi.org/10.1063/1.110278
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.