Zobrazeno 1 - 10
of 303
pro vyhledávání: '"G. Larrieu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology. 34(10)
Vertical nanostructure technologies are becoming more important for the down scaling of nanoelectronic devices such as logic transistors or memories. Such devices require dense vertical nanostructured channel arrays (VNCA) that can be fabricated thro
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Chery, M. Zhang, R. Monflier, N. Mallet, G. Seine, V. Paillard, J. M. Poumirol, G. Larrieu, A. S. Royet, S. Kerdilès, P. Acosta-Alba, M. Perego, C. Bonafos, F. Cristiano
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, 2022, 131 (6), pp.065301
Journal of Applied Physics, 2022, 131 (6), pp.065301
International audience; A thorough study of the phosphorus (P) heavy doping of thin Silicon-On-Insulator (SOI) layers by UV nanosecond Laser Thermal Annealing (LTA) is presented in this work. As a function of the implant dose and laser annealing cond
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5cc9638e734517d622900dffa44df4b7
https://hal.science/hal-03454821
https://hal.science/hal-03454821
Autor:
C. Maneux, C. Mukherjee, M. Deng, M. Dubourg, L. Reveil, G. Bordea, A. Lecestre, G. Larrieu, J. Trommer, E.T. Breyer, S. Slesazeck, T. Mikolajick, O. Baumgartner, M. Karner, D. Pirker, Z. Stanojevic, David Atienza, A. Levisse, G. Ansaloni, A. Poittevin, A. Bosio, D. Deleruyelle, C. Marchand, I. O'Connor
Publikováno v:
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021)
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Dec 2021, San Fransisco, United States
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Dec 2021, San Fransisco, United States. ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720572⟩
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Dec 2021, San Fransisco, United States
67th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2021), Dec 2021, San Fransisco, United States. ⟨10.1109/IEDM19574.2021.9720572⟩
International audience; This paper presents the set of simulation means used to develop the concept of N2C2 (neural network compute cube) based on a vertical transistor technology platform. On the basis of state-of-the-art junctionless nanowire trans
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2a1ae526447b123b541f838a5cb77150
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408078
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03408078
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Ecohydrology, vol 14, iss 6
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::228430d16de08ee6a5dd2c2348066999
https://escholarship.org/uc/item/91q918f6
https://escholarship.org/uc/item/91q918f6