Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"G. Kitsukawa"'
Autor:
M. Nakamura, T. Takahashi, T. Akiba, G. Kitsukawa, M. Morino, T. Sekiguchi, I. Asano, K. Komatsuzaki, Y. Tadaki, C. Songsu, K. Kajigaya, T. Tachibana, K. Satoh
Publikováno v:
Proceedings ISSCC '95 - International Solid-State Circuits Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7074a12b631fe5043d9bfa0217c76e74
https://doi.org/10.1109/isscc.1995.535541
https://doi.org/10.1109/isscc.1995.535541
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 36:706-711
A novel high-performance bipolar-CMOS (complementary metal oxide semiconductor) merged technology for a 1-Mb DRAM (dynamic random access memory) is proposed. A memory cell having a twenty-times-higher soft-error immunity (as compared to the conventio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::13ca3812c5ca0112b5495fe9a5ab97ff
https://doi.org/10.1109/16.22475
https://doi.org/10.1109/16.22475
Publikováno v:
1984 International Electron Devices Meeting.
Fabricating BiCMOS test samples, performance and structures of 2 µm and scaled BiCMOS are evaluated. The developed BiCMOS processes realize almost the same device characteristics of bipolar and CMOS LSIs fabricated with the same lithographic technol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd3163c54dfd0ccb1331345e3b115b01
https://doi.org/10.1109/iedm.1984.190818
https://doi.org/10.1109/iedm.1984.190818
Autor:
Masanori Odaka, G. Kitsukawa, Katsumi Ogiue, Masato Iwabuchi, M. Inadachi, Kunihiko Yamaguchi
Publikováno v:
1982 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers.
A bipolar 6Kb memory VLSI with 770 logic gates developed for virtual address translation and buffer storage control will be described. Access time and power dissipation are 6.7ns and 5.2W.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a878cda7a4d4b2d9f9379a95b0c2f5f
https://doi.org/10.1109/isscc.1982.1156283
https://doi.org/10.1109/isscc.1982.1156283
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.