Zobrazeno 1 - 10
of 218
pro vyhledávání: '"G. KIPSHIDZE"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics Letters. 53:40-42
GaSb-based type-I quantum wells cascade diode lasers with nearly diffraction limited output beam were fabricated using methane–hydrogen dry etching plasma process. Rapid thermal annealing was shown to be a necessary step to reverse the effect of hy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4484fba14fbca548a61b52ae5703645f
https://doi.org/10.1049/el.2016.3394
https://doi.org/10.1049/el.2016.3394
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 53:922
The electrical and galvanomagnetic properties of unrelaxed heteroepitaxial structures of InAs1-xSbx (x = 0.43 and x = 0.38) were studied in a wide temperature range of 5-300K and magnetic fields up to 8 T. The band gap of the composition InAs0.57Sb0.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a0cfb9df12cd78798750f56ed183dac5
https://doi.org/10.21883/ftp.2019.07.47868.9044
https://doi.org/10.21883/ftp.2019.07.47868.9044
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Luke O. Nyakiti, Deeder Aurongzeb, Jharna Chaudhuri, Mark Holtz, D.Y. Song, G. Kipshidze, Henryk Temkin, R.G. Lee, B. Yavich
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 37:1076-1081
We report experiments on the formation of GaN nanowires on epitaxial GaN using thin layers of Ni. GaN covered with Ni shows roughening that is strongly dependent on the thickness of the Ni layer and the annealing conditions. With the initial Ni thick
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f332f594c34d50b620d09c7c562ae48a
https://doi.org/10.1007/s11664-008-0483-7
https://doi.org/10.1007/s11664-008-0483-7
Publikováno v:
Electronics Letters. 49:667-669
Single spatial mode GaSb-based type-I quantum well diode lasers operating near 3 μm at room temperature were designed and fabricated by chlorine-free dry etching technique. The etching profile was optimised to minimise the optical loss. The 5.5 μm-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8fef86684b089cebe3904f0e0caaed75
https://doi.org/10.1049/el.2013.0804
https://doi.org/10.1049/el.2013.0804
Autor:
Sergey A. Nikishin, B. Borisov, A. Chandolu, G. Kipshidze, Henryk Temkin, C. Ramkumar, Mark Holtz, Iulian Gherasoiu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 96:6272-6276
The phenomena that accompany the growth of aluminum nitride (AlN) by metal-organic molecular beam epitaxy with trimethylaluminum and ammonia as sources of aluminum and nitrogen, respectively, have been systematically investigated. Optimizing the grow
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60e7124cff4fcd6407c0e55d4a373c44
https://doi.org/10.1063/1.1813623
https://doi.org/10.1063/1.1813623