Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"G. Jukonis"'
Publikováno v:
Solid State Communications. 75:531-533
Electron drift mobility in a -Si : H is studied in a broad range of temperatures (140–295 K) as a function of electric field up to its extremely high values ( F ≈4 × 10 5 V cm -1 ) on a -Si : H samples with the thickness ( d ) ranging from 1.7 t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::487d0c55cf742c823df264509d2d6fec
https://doi.org/10.1016/0038-1098(90)90492-t
https://doi.org/10.1016/0038-1098(90)90492-t
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 114:354-356
The new integral TOF method in SCLC region is suggested for study of transport in subnanosecond time scale and discussed in detail. First results on undoped a-Si:H show the increase of electron drift mobility with electric field and strong decrease o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8dd5f0babff2264145b2c6520ff5eb78
https://doi.org/10.1016/0022-3093(89)90161-0
https://doi.org/10.1016/0022-3093(89)90161-0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.