Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"G. Jegert"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 58:327-334
Leakage currents in TiN/high-κ-ZrO2/TiN capacitors were simulated by using a novel kinetic Monte Carlo algorithm specially designed to describe tunneling transport of charge carriers in high-κ dielectrics, including defect-assisted transport mechan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f3654ab988ca7edaa6ec91f59f1e261
https://doi.org/10.1109/ted.2010.2090158
https://doi.org/10.1109/ted.2010.2090158
Autor:
R. Reiche, G. Jegert, Lars Oberbeck, Wenke Weinreich, Anton J. Bauer, Johannes Heitmann, Heiner Ryssel, Elke Erben, M. Lemberger, S. Teichert, L. Wilde, Uwe Schröder, Johannes Müller
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 86:1826-1829
Polarity asymmetries in J-V and C-V characteristics of symmetrical MIM capacitors with amorphous and crystalline Zr"("1"-"x")Al"xO"2 films and TiN electrodes are evaluated. Physical analysis of the interface between the TiN bottom electrode and the Z
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b61b78a90f349e2dba1338a93f9afbc
https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.070
https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.070
Autor:
G. Jegert, Steve Knebel, Wenke Weinreich, M. Kerber, Johannes Heitmann, Jin Xu, Dayu Zhou, Uwe Schroeder, Thomas Mikolajick, Elke Erben
In this paper, we report reliability evaluation results for nanomixed amorphous ZrAlxOy and symmetrically or asymmetrically stacked ZrO2/Al2O3/ZrO2 dielectric thin films grown by atomic layer deposition method in cylindrical metal-insulator-metal cap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3180d267567f2ba962f22680a57976f0
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/223144
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/223144
Autor:
Martin Eickhoff, Stefan Birner, W. Schottky, O. Weidemann, G. Jegert, Eva Monroy, Martin Stutzmann
Publikováno v:
2007 IEEE Sensors.
Quantum dots (QDs) are of special interest for both fundamental physics and optoelectronic applications. Controlled growth of ensembles of self assembled GaN/AIN QDs showing efficient room-temperature luminescence has been demonstrated recently. On t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0df5f9666e910d647825883a358f2dc4
https://doi.org/10.1109/icsens.2007.4388617
https://doi.org/10.1109/icsens.2007.4388617
Autor:
Dayu Zhou, Lars Oberbeck, S. Uppal, M. Reinicke, M. Kerber, R. Agaiby, Uwe Schroeder, G. Jegert, Johannes Heitmann
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 106:044104
Reliability is of serious concern for high-k dielectrics used in advanced memory applications. In this study, the time dependent dielectric breakdown behavior is investigated for metal-insulator-metal capacitors with amorphous ZrAlxOy thin films as i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b30ef700885541ab076a53614bd16d16
https://doi.org/10.1063/1.3204001
https://doi.org/10.1063/1.3204001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.