Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"G. Intermite"'
Publikováno v:
Physica Medica. 92:S204
Autor:
G. Intermite, E. Richetta, D. Valentini, A. Rienzo, M. Poli, A. Codegone, B.O. Elia, R.E. Pellerito, A. Muni, M. Stasi
Publikováno v:
Physica Medica. 92:S91
Autor:
Robert W. Kelsall, Gerald S. Buller, Andrew P. Knights, N.J. Pilgrim, Ryan E. Warburton, Edgar Huante-Ceron, L. Lever, Phil Allred, Maksym Myronov, Kevin Gallacher, David R. Leadley, G. Intermite, Douglas J. Paul, Zoran Ikonic
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 60:3807-3813
The design, modeling, fabrication, and characterization of single-photon avalanche diode detectors with an epitaxial Ge absorption region grown directly on Si are presented. At 100 K, a single-photon detection efficiency of 4% at 1310 nm wavelength w
Autor:
Ximing Ren, G. Intermite, Alberto Tosi, Andrew J. Waddie, Ryan E. Warburton, Federica Villa, Aongus McCarthy, M. R. Taghizadeh, Franco Zappa, Gerald S. Buller, Yu Zou
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Arrays of single-photon avalanche diode (SPAD) detectors were fabricated, using a 0.35 μm CMOS technology process, for use in applications such as time-of-flight 3D ranging and microscopy. Each 150 x 150 μm pixel comprises a 30 μm active area diam
Autor:
Phil Allred, Ryan E. Warburton, David R. Leadley, G. Intermite, Gerald S. Buller, Maksym Myronov, Stephen Rhead
Publikováno v:
2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM).
SPAD structures have been grown by RP-CVD and shown to have: excellent crystallinity, with low TDD; a smooth surface, suitable for device incorporation; and sharp doping profiles required to maximize performance. Device measurements have produced the
Autor:
L. Lever, N.J. Pilgrim, Kevin Gallacher, Phil Allred, Robert W. Kelsall, Gerald S. Buller, David R. Leadley, Ryan E. Warburton, Maksym Myronov, Douglas J. Paul, G. Intermite, Zoran Ikonic
Publikováno v:
10th International Conference on Group IV Photonics.
Ge-on-Si single-photon detectors are fabricated and characterized at 1310 and 1550 nm. 4 % single-photon detection efficiency is observed at 1310 nm demonstrating the lowest reported noise equivalent power for Ge-on-Si single-photon detectors (1×10-
Autor:
Franco Zappa, Rudi Lussana, Ximing Ren, Aongus McCarthy, Mohammad R. Taghizadeh, Ryan E. Warburton, Federica Villa, Alberto Tosi, Gerald S. Buller, G. Intermite, Andrew J. Waddie
Publikováno v:
Optics Express. 23:33777
Single-photon avalanche diode (SPAD) detector arrays generally suffer from having a low fill-factor, in which the photo-sensitive area of each pixel is small compared to the overall area of the pixel. This paper describes the integration of different
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.